[实用新型]高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构

权利要求书

1.一种高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于：包括一影像传感芯片(9)和一硅基板(1)，该影像传感芯片包括一基底(8)、形成于该基底的第一表面的感测区(903)及位于所述感测区周边的若干焊垫(902)；所述硅基板具有第一表平面(101)及与其相对的第二表平面(102)，所述硅基板的第二表平面粘贴于所述基底的第一表面，所述硅基板对应感测区位置设有一贯通所述硅基板的开口(2)，所述开口的底部暴露出该感测区；所述硅基板第一表面开口顶部固定有一透光基板(7)，所述透光基板平面尺寸大于开口且小于硅基板第一表平面，所述透光基板的两个表平面平行或接近平行于所述感测区所在平面。

2.根据权利要求1所述的高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于，所述开口侧壁与所述感测区所在平面的二面角α的范围为：40°≤α≤130°。

3.根据权利要求1所述的高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于，所述硅基板厚度范围为100μm～500μm。

4.根据权利要求1所述的高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于，所述透光基板为IR光学镀膜玻璃。

5.根据权利要求1所述的高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于，所述硅基板的第一表平面刻有至少一条连通所述开口与所述基板边缘空间的通气槽(4)。

6.根据权利要求1所述的高像素影像传感芯片的晶圆级封装结构，其特征在于，所述基底的第二表面形成有暴露所述焊垫的通道(10)，所述通道及所述基底的第二表面上形成有暴露焊垫的绝缘层(11)，所述绝缘层及焊垫暴露面上形成有将所述焊垫的电性引至所述基底的第二表面上的金属布线层(12)，所述金属布线层上形成有用于防止金属布线层氧化或腐蚀的保护层(13)。