[实用新型]晶圆承盘结构有效
申请号: | 201520327581.X | 申请日: | 2015-05-20 |
公开(公告)号: | CN204927258U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 罗郁南 | 申请(专利权)人: | 晨州塑胶工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 中国台湾台中*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆承 盘结 | ||
1.一种晶圆承盘结构,其特征在于:包括:
一本体,该本体由交互接邻的一长边及一短边所构成,各该长边及各该短边接邻处具有一转角,该本体具有多个容置槽,该些容置槽供以容置晶圆,该本体的一面的周围环设有一第一挡墙,该第一挡墙由交互接邻的一第一段及一第二段构成,该第一挡墙的第二段沿着该转角延伸设置,该第一挡墙的周缘具有依续接邻的一第一侧、一第一连接面及一第二侧,该第一段的第一连接面的长度为一第一宽度,该第二段的连接面的长度为一第二宽度,该第一宽度大于该第二宽度;
该本体的另一面的周围环设有一第二挡墙,该第二挡墙与该本体之间形成一容槽,该第二挡墙由交互接邻的一第三段及一第四段构成,该第二挡墙的第四段沿着该转角延伸设置,该第二挡墙的周缘具有依续接邻的一第三侧、一第二连接面及一第四侧,该第三段的第二连接面的长度为一第三宽度,该第四段的第二连接面的长度为一第四宽度,该第四宽度大于该第三宽度。
2.如权利要求1所述的晶圆承盘结构,其特征在于:所述第一宽度及该第二宽度的比例为9比7,该第三宽度及该第四宽度的比例为7比9。
3.如权利要求1所述的晶圆承盘结构,其特征在于:所述第一挡墙的该第一段及该第二段于该短边的长度比为1比3,该第二挡墙的该第三段及该第四段于该短边的长度比为1比3;该第一挡墙的该第一段及该第二段于该长边的长度比为3比5,该第二挡墙的该第三段及该第四段于该短边的长度比为3比5。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造