[实用新型]一种匀强磁场沉积台有效

专利信息
申请号: 201520327761.8 申请日: 2015-05-19
公开(公告)号: CN204644458U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 乔宪武;吴昊 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 磁场 沉积
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及电磁装置,具体涉及一种匀强磁场沉积台,应用在磁控溅射设备中。

背景技术

磁控溅射或者其它离子束溅射沉积方法,在金属表面生长中有广泛的应用。实验样品基底通常放在沉积台表面,溅射离子在基底上成长,最后成为表面膜层。针对磁性材料成膜,特别是铁、钴、镍等磁性材料,在外加匀强磁场作用下,成膜效果要好。

物理学中平面增加匀强磁场的方法有三种,分别是亥姆霍兹线圈中心位置;通电直导线周围磁场;磁体NS极之间区域。常规方法采用磁体获得的匀强磁场,磁场强度低,特别是在暴露的真空溅射装置作用下,磁体表面很快沉积一层金属薄膜,从而影响磁场强度。

实用新型内容

本实用新型为了解决的上述技术问题,提出一种工作装置。

一种匀强磁场沉积台,包括沉积台、支架和底座,其特征在于:沉积台与底座中间位置设置平行直导线。

所述沉积台为非磁化材料。

本实用新型有益效果:在沉积台表面获得匀强磁场,磁场强度由电流强弱来控制。并且,该装置的工作不受沉积材料的影响。

附图说明

图1为本实用新型结构图。

具体实施方式

样品置于沉积台1的上表面,开启磁控溅射装置,磁性材料粒子溅射到样品表面。匀强磁场沉积台工作时如图1所示,平行直导线4通电流,在沉积台1的上表面产生匀强磁场,匀强磁场的方向是平行于沉积台1的上表面。沉积台1通过支架2与底座3相连,构成完整的中空结构,因此避免了溅射离子在平行直导线4上的沉积。为了避免沉积台的磁化,所述沉积台1为非磁化材料,一般选用合金材料。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国计量学院,未经中国计量学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520327761.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top