[实用新型]一种磁控溅射台磁水平检测装置有效

专利信息
申请号: 201520327826.9 申请日: 2015-05-19
公开(公告)号: CN204644460U 公开(公告)日: 2015-09-16
发明(设计)人: 乔宪武;吴昊 申请(专利权)人: 中国计量学院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/54;G01R33/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 310018 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 磁控溅射 水平 检测 装置
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种次测量装置,特别适用于金属薄膜沉积过程中,一种磁控溅射台磁水平检测装置。

研究背景

磁控溅射或者其它离子束溅射沉积方法,在金属表面生长中有广泛的应用。实验样品基底通常放在沉积台表面,溅射离子在基底上成长,最后成为表面膜层。针对磁性材料成膜,特别是铁、钴、镍等磁性材料,在外加匀强磁场作用下,成膜效果要好。

物理学中平面增加匀强磁场的方法有三种,分别是亥姆霍兹线圈中心位置;通电直导线周围磁场;磁体NS极之间区域。通常使用亥姆霍兹线圈中心位置来获得匀强磁场,磁控溅射沉积室内一般采用此装置。但是,沉积台表面是否处于亥姆霍兹线圈中心位置,没有专用设备调节。

实用新型内容

匀强磁场存在于两个亥姆霍兹线圈中心平面,但是,这个平面位置是看不到的,只能猜测其大概位置。

本实用新型提供一种磁控溅射台磁水平检测装置,包括亥姆霍兹线圈、沉积台和升降台,其特征在于:所述装置包括磁感应强度探针安装在沉积台水平表面上,沉积台在升降台的作用下,位置可以移动。

所述装置包括磁感应强度探针至少有三个。

本实用新型有益效果:本实用新型提供一种测量装置,解决匀强磁场和沉积台平面共面的问题。

附图说明

图1为本实用新型结构图

具体实施方式

如图1所示,匀强磁场存在于两个亥姆霍兹线圈1中心平面,调节升降台4,使沉积台3到达预计的位置。

姆霍兹线圈1启动,有匀强磁场产生。磁感应强度探针2能够检测到磁感应强度,当多个磁感应强度探针2阵列磁感应强度相等时,证明沉积台3水平面与匀强磁场平面重合,反之,调节升降台4高度,最终使磁感应强度探针2阵列磁感应强度相等。

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