[实用新型]发光设备有效
| 申请号： | 201520328294.0 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN204927320U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 金玟奎;郑廷桓;金景海;郭雨澈 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种发光设备，其特征在于，所述发光设备包括：
n型氮化物半导体层；
设置在n型氮化物半导体层上的活性层；
设置在活性层上的p型氮化物半导体层；以及
设置在p型氮化物半导体层上的扩散阻挡层。
2.如权利要求1所述的发光设备，其特征在于，扩散阻挡层包括p型掺杂物。
3.如权利要求2所述的发光设备，其特征在于，p型掺杂物为Mg，扩散阻挡层包括MgxNy层。
4.如权利要求3所述的发光设备，其特征在于，扩散阻挡层包括其中具有第一浓度的Mg的MgxNy层和具有第二浓度的Mg的MgxNy层重复堆叠的结构，第一浓度大于第二浓度。
5.如权利要求3所述的发光设备，其特征在于，扩散阻挡层包括其中MgxNy层和GaN层重复堆叠的结构。
6.如权利要求3所述的发光设备，其特征在于，扩散阻挡层具有0.3nm-5nm的厚度。
7.如权利要求5所述的发光设备，其特征在于，GaN层包括Mg。
8.如权利要求1所述的发光设备，其特征在于，所述发光设备进一步包括：
设置在扩散阻挡层上的p型电极，
其中该p型电极与扩散阻挡层形成欧姆接触。
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