[实用新型]具有高效能的静电防护能力的功率晶体管

权利要求书

1.一种具有高效能静电放电防护的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管包含有：

第一型态的第一掺杂层，形成于一半导体基底的背面，作为一漏极；

二第一栅极，设于该半导体基底的上表面之上；

第二型态的第一阱区，形成于该上表面，其中，该第一型态互补于该第二型态；

第一型态的二第二掺杂区，形成于该上表面与该第一阱区内；

第一金属接触，电性接触该二个第二掺杂区与该第一阱区，作为一第一源极，其中，该二个第一栅极可控制该漏极与该第一源极之间的电连接；

二第二栅极，与该第一栅极共平面地设于该上表面之上；

第二型态的第二阱区，形成于该上表面；

第一型态的第三掺杂区，与该第二掺杂区共平面地形成于该上表面与该第二阱区内；以及

第二金属接触，电性接触该二个第二掺杂区，作为一第二源极，其中，该二个第二栅极可控制该漏极与该第二源极之间的电连接；

其中，该第三掺杂区阻隔，使该第二金属接触不接触该第二阱区。

2.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该二个第二栅极与第一栅极相互电连接。

3.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该第二掺杂区与该第三掺杂区以相同的制作工艺方法形成。

4.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该二个第一栅极与该二个第二栅极以相同的制作工艺方法形成。

5.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该第一型态为N型，该第二型态为P型。

6.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该第一掺杂层之下形成有一背面金属层，作为该漏极。

7.如权利要求1所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管还包含有：

隔绝架构，设于该上表面之上，用以隔绝该第一与第二阱区之间的电连接。

8.如权利要求7所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该隔绝架构包含有场氧化层区块，形成于该第一与第二阱区之间。

9.如权利要求7所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该隔绝架构包含有多晶硅间介电区块，形成于该第一与第二阱区之间。

10.如权利要求9所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该隔绝架构包含有冗余栅极，夹于该多晶硅间介电区块与该半导体基底之间，该冗余栅极固定地电连接至该第一金属接触。

11.一种具有高效能静电放电防护的垂直型功率晶体管，其特征在于，该该垂直型功率晶体管包含有：

第一型态的第一掺杂层，形成于一半导体基底的背面，作为一漏极；

二第一栅极，设于该半导体基底的上表面之上；

第二型态的第一阱区，形成于该上表面，其中，该第一型态互补于该第二型态；

第一型态的二第二掺杂区，形成于该上表面与该第一阱区内；

第一金属接触，电性接触该二个第二掺杂区与该第一阱区，作为一第一源极，其中，该二个第一栅极可控制该漏极与该第一源极之间的电连接；

第二型态的二第二阱区，形成于该上表面；以及

第二金属接触，电性接触该二个第二阱区之间的该上表面，作为一第二源极，其中，该二个第二阱区与该第二金属接触之间的电压差可控制该漏极与该第二源极之间的电连接，且当该电压差为0V时，该漏极电连接至该第二源极。

12.如权利要求11所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该二个第二阱区上形成有数个多晶硅间介电区块，使该第二金属接触不接触该二个第二阱区。

13.如权利要求11所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管还包含有：

第一型态的第三掺杂区，与该第二掺杂区共平面地形成于该上表面与该二个第二阱区之间，用以电连接该第二金属接触与该漏极。

14.如权利要求11所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管还包含有：

隔绝架构，设于该上表面之上，用以隔绝该第一与第二阱区之间的电连接。

15.如权利要求14所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该隔绝架构包含有一场氧化层区块，形成于该第一阱区其中之一与第二阱区其中之一之间。

16.如权利要求11所述的垂直型功率晶体管，其特征在于，该垂直型功率晶体管还包含有多晶硅间介电区块，形成于该第一金属接触与该第二金属接触之间的该上表面之上，该多晶硅间介电区块上形成有第一金属层、第二金属层、以及介于该第一与第二金属层之间的间隙。