[实用新型]一种薄膜光伏组件有效
申请号: | 201520334770.X | 申请日: | 2015-05-22 |
公开(公告)号: | CN204614797U | 公开(公告)日: | 2015-09-02 |
发明(设计)人: | 李元雄;李元勇 | 申请(专利权)人: | 李元雄;李元勇 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京市中银律师事务所 11423 | 代理人: | 修雪静 |
地址: | 荷兰*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 组件 | ||
技术领域
本发明涉及一种薄膜光伏组件的设计和制造,特别是可用于制造光伏与建筑一体化(BIPV)的薄膜光伏组件的设计和制造。
背景技术
在目前的薄膜光伏组件制造中,一般采用一块3至4mm厚的玻璃作为衬底,在上面通过薄膜沉积等方式来制造光伏组件,一般采用层压的方法在其上覆盖另外一层一定厚度(一般也是3至4mm)的玻璃而形成最终的光伏组件,由这样两层玻璃形成的薄膜光伏组件总的厚度,包括在两块玻璃之间起粘合和密封作用的夹胶层为7至8mm,申请号为CN201310006357的专利发明了一种2.5mm双玻璃光伏组件制作方法,把光伏组件做得更薄,但是,这样的薄膜光伏组件并不适合于与建筑一体化(BIPV)的应用上,因为BIPV组件不仅需要满足光伏组件本身发电的性能要求,同时要满足玻璃幕墙的安全性、耐久性和可靠性,实验和建筑物安全性能等要求,因此需要有比普通组件更高的力学性能和采用不同的结构方式,在不同的地点,不同的楼层高度,不同的安装方式,对它的玻璃力学性能要求就可能是完全不同的。出于机械强度和安全的考虑,建筑规范要求双层玻璃组件的厚度一般要大于12mm;因此,为了使薄膜光伏组件能够应用于BIPV,作为衬底以及覆盖层的两块玻璃必须加厚到各6mm以上,但是在薄膜光伏组件的制造中增加衬底玻璃的厚度并不容易,需要更改制造过程中的薄膜沉积等设备,成本高昂。而仅增加覆盖层玻璃的厚度至8mm以上,会使最终形成的光伏组件的夹胶两侧玻璃厚度很不对称,这种不对称使得光伏组件在实际使用中由于冷热温差导致的热膨胀在夹胶两边不对称,形成内应力和应变,其安全性能得不到保障,对光伏器件的电性能和可靠性的影响也较大。
为了使得光伏组件达到建筑规范的目的,上述技术中存在着更改BIPV制造设备成本高昂,组件结构严重不对称,完全依赖专门的薄膜光伏组件制造商的问题。
发明内容
本发明旨在提供薄膜光伏组件,为了实现上述目的,本发明提供如下技术方案:
一种薄膜光伏组件,由面板玻璃,基板玻璃和光伏薄膜层构成,面板玻璃和基板玻璃通过光伏薄膜层连接,其特征在于:在面板玻璃或基板玻璃的外侧增加一块扩展玻璃,所述扩展玻璃与面板玻璃或基板玻璃的外侧通过夹胶层连接。
优选的,所述面板玻璃、基板玻璃和扩展玻璃的厚度相同或近似。
优选的,所述面板玻璃、基板玻璃和扩展玻璃的厚度为4mm。
优选的,所述面板玻璃、基板玻璃和扩展玻璃是钢化玻璃。
优选的,所述夹胶层材料是聚乙烯醇缩丁醛(PVB)。
本发明与现有技术相比较的有益效果在于,通过增加一块扩展玻璃,使光伏组件达到建筑规范的目的,而且不需更改BIPV制造设备,节约成本,并且解决光伏组件结构不对称的问题,提高光伏组件的使用寿命。
附图说明
图1是本发明的结构示意图1;
图2是本发明的结构示意图2。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
如图1所示,薄膜光伏组件,由面板玻璃11,基板玻璃12和光伏薄膜层21构成,面板玻璃11和基板玻璃12通过光伏薄膜层21连接,在基板玻璃12的外侧增加一块扩展玻璃10,扩展玻璃10与基板玻璃12通过夹胶层20连接。
如图2所示,薄膜光伏组件,由面板玻璃11,基板玻璃12和光伏薄膜层21构成,面板玻璃11和基板玻璃12通过光伏薄膜层21连接,在面板玻璃11的外侧增加一块扩展玻璃10,扩展玻璃10与面板玻璃11通过夹胶层20连接。
如图1和2所示,面板玻璃11、基板玻璃12和扩展玻璃10的厚度相同或近似,且厚度为4mm。
如图1和2所示,面板玻璃11、基板玻璃12和扩展玻璃10是钢化玻璃,夹胶层20材料是聚乙烯醇缩丁醛(PVB)。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于李元雄;李元勇,未经李元雄;李元勇许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的