[实用新型]适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构

权利要求书

1.一种适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，包括管座(1)和MEMS传感器芯片(4)，其特征在于：在管座的外部设有支撑层(2)，支撑层(2)上设有可用来放置MEMS传感器芯片的凹槽(3)，所述MEMS传感器芯片(4)嵌入该凹槽(3)内，并有相对自由的活动间隙；

在支撑层(2)的上表面与嵌入后的MEMS传感器芯片(4)相适配的位置处安置有四个限位片(5)，以防止所述MEMS传感器芯片(4)从所述凹槽(3)中滑出。

2.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：在所述限位片(5)的表面设有过渡焊盘(6)，MEMS传感器芯片中焊盘首先与过渡焊盘焊接，再由过渡焊盘与引脚焊接。

3.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述支撑层(2)采用陶瓷、橡胶或聚四氟材料加工。

4.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述凹槽(3)的长度略大于芯片的长度，大于的长度<0.1mm，MEMS传感器芯片(4)恰好嵌入支撑层(2)的凹槽(3)内。

5.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述活动间隙的宽度为0.08-0.12mm。

6.根据权利要求5所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述活动间隙的宽度为0.1mm。

7.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述支撑层(2)通过环氧胶、树脂或硅橡胶材料粘接在管座(1)上。

8.根据权利要求1所述的适用于MEMS传感器芯片的低应力封装结构，其特征在于：所述限位片(5)与支撑层(2)通过硅橡胶粘接，粘接后的限位片(5)下表面略高于芯片上表面，高于的高度<0.1mm。