[实用新型]一体式离子迁移谱仪离子门有效

专利信息
申请号: 201520344905.0 申请日: 2015-05-26
公开(公告)号: CN204577397U 公开(公告)日: 2015-08-19
发明(设计)人: 蓝朝晖;龙继东;郑乐;王韬;杨振;董攀 申请(专利权)人: 中国工程物理研究院流体物理研究所
主分类号: H01J49/02 分类号: H01J49/02;H01J49/26
代理公司: 成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220 代理人: 何筱茂
地址: 621000*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 体式 离子 迁移
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及离子迁移谱仪离子门技术领域,具体地,涉及一种一体式离子迁移谱仪离子门。

背景技术

离子迁移谱技术是20世纪60年代末70年代初发展起来的一种痕量化学、生物物质分析检测技术。它主要通过气态离子的迁移率来表征各种不同的物质,达到对各种物质分析检测的目的。在弱电场(小于1000V/cm)的范围内,离子速度正比于电场强度,离子的迁移率在弱电场的范围内为常数,其数值主要取决于离子的结构、质量、电荷数和尾吹气体的种类等因素,不同的离子其迁移率各不相同。

离子迁移谱仪是采用离子迁移谱技术检测物质的装置,其结构示意图如图1所示,通常由进样部分、电离源、离子门、迁移区、离子收集区、微电流放大器及数据处理控制部分等组成。电离源可以采用真空紫外灯(VUV灯)。离子门目前有两种主要的类型:Bradbury-Nielson离子门和Tyndall型离子门。电离源将样品电离成离子,离子在电场力的作用下沿着轴向向前运动。离子门用来控制离子以脉冲的方式进入后面的迁移区,不同离子由于迁移率不同到达离子收集区的时间不同,便形成了离子迁移谱图。因此离子门是控制离子进入迁移管的关键部件。离子门能够在开启时保证离子有效通过离子门,关闭时有效拦截离子通过离子门。

通常,Bradbury-Nielson离子门采用绕线式,即两组梳状排布的金属丝相互交叉绕制在支撑材料上,在两组金属丝之间加周期性的电压脉冲。中国专利CN200610075935公开了一种离子门的制备方法,用金属丝按照一定的顺序绕制在印刷电路板上。但该离子门的制作方法工艺较复杂,金属丝平整度较难保证。

实用新型内容

本实用新型的目的就在于提供一种制备简单、性能可靠的一体式离子迁移谱仪离子门。

本实用新型解决上述问题所采用的技术方案是:

一体式离子迁移谱仪离子门,包括绝缘板、第一连接导线、第一金属丝组、第二连接导线、第二金属丝组,第一金属丝组包括多根呈梳状排布的第一金属导线,第二金属丝组包括多根呈梳状排布的第二金属导线,且第一金属导线与第二金属导线相互交错排布;第一连接导线与所有第一金属导线相连,第二连接导线与所有第二金属导线相连;所述第一连接导线、第二连接导线、第一金属导线和第二金属导线印刷在绝缘板上;绝缘板上在第一金属导线与第二金属导线之间开设有供离子通过的通孔。本方案中,将金属导线印刷在绝缘板上,金属导线的平整度、平行度以及之间的距离精度都可以很好地得到保证,且避免了金属线缠绕方式带来的复杂工艺问题,设计简单,可靠性高。

作为本实用新型的进一步改进,所述第一金属丝组、第二金属丝组位于第一连接导线和第二连接导线之间,所述第一连接导线连接第一金属导线的靠近第一连接导线的一端,所述第二连接导线连接第二金属导线的靠近第二连接导线的一端。

进一步,所述第一金属导线和第二金属导线等间距相互交错排布。

进一步,为了使绝缘板不对离子的通过造成影响,所述通孔的宽度等于位于通孔两侧且离通孔最近的第一金属导线和第二金属导线之间的距离。

进一步,所述通孔为矩形通孔,其长度等于第二金属导线靠近第一连接导线的一端到第一金属导线靠近第二连接导线的一端在通孔长度方向上的距离。

进一步,所述绝缘板厚度为0.5mm-2mm。

进一步,所述第一连接导线、第二连接导线、第一金属导线和第二金属导线采用铜或不锈钢或者镍制成。

优选的,所述第一金属导线和第二金属导线的宽度均为0.2mm-0.5mm,第一金属导线与其紧邻的第二金属导线之间的距离为0.5mm-1mm。

优选的,所述第一金属导线和第二金属导线的宽度均为0.3mm,第一金属导线与其紧邻的第二金属导线之间的距离为0.8mm。

综上,本实用新型的有益效果是:

1、本实用新型将金属导线印刷在绝缘板上,金属导线的平整度、平行度以及之间的距离精度都可以很好地保证。

2、本实用新型采用离子门栅极金属导线与支撑用绝缘板一体式的设计,避免了缠绕金属线的复杂工艺问题,设计简单,可靠性高。

3、本实用新型的支撑的金属导线的绝缘板布设在金属导线的后面,对离子流基本无影响。

附图说明

图1是现有技术中离子迁移谱仪的结构示意图;

图2是本实用新型的结构示意图;

图3是本实用新型的离子门关闭时离子轨迹示意图;

图4是本实用新型的离子门打开时离子轨迹示意图。

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