[实用新型]一种电容耦合型等离子体处理装置

权利要求书

1.一种电容耦合型等离子体处理装置，包括处理腔室、处理气体供给单元、等离子体射流放电单元和高频电源，其特征在于：所述等离子体射流放电单元为设置于所述处理腔室顶部的等离子体射流放电阵列，所述等离子体射流放电阵列包括自上而下依次设置的高压电极、阻挡介质平板和工作气流通道层；所述高压电极位于阻挡介质平板上方并紧贴阻挡介质平板，工作气流通道层紧贴阻挡介质平板的下方并与所述处理气体供给单元相连通以输送用于生成等离子体的工作气体；所述阻挡介质平板包括超材料基材层和附着在所述超材料基材层上的若干金属线结构单元。

2.如权利要求1所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述金属线结构单元呈周期阵列均匀排布。

3.如权利要求1所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：

所述处理腔室内设置有由导电材料制成的用于载置待处理基板的载置台，所述载置台兼作为高频电极；所述载置台收纳于绝缘框内，所述绝缘框被中空的支柱支撑；所述支柱底端位于处理腔室外部并被升降机构支撑；所述绝缘框与处理腔室底部设置有气密性包围所述支柱的伸缩管；所述处理腔室底部设有排气口；

所述高频电源包括第一高频电源和第二高频电源；所述第一高频电源经整合器由设置于所述支柱内的供电线连接至所述载置台；

所述气体供给单元包括设置于处理腔室侧壁的气体缓冲部，所述缓冲部周向上间隔设置有面对等离子体生成空间的若干侧壁气体排出孔；所述缓冲部通过管道连通气体供给源。

4.如权利要求1所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述阻挡介质平板周围的尺寸比高压电极大。

5.如权利要求3所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述工作气流通道层包括若干并列设置的气流通道；各所述气流通道包括与所述缓冲部连通的进气口、两侧的密封绝缘板和带通孔的绝缘底板；各所述气流通道间相互独立，且各所述气流通道通道的尾部设置有气流密封挡板。

6.如权利要求1所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述超材料基材层为FR4、F4B或聚四氟乙烯基材层；所述金属线结构单元中的金属线为银线或铜线。

7.如权利要求6所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述由金属线构成的若干结构单元呈“工”字形、“T”字形或“十”字形。

8.如权利要求5所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述密封绝缘板、绝缘底板和气流密封挡板由石英玻璃或环氧玻璃制备而成。

9.如权利要求5所述的电容耦合型等离子体处理装置，其特征在于：所述绝缘底板上的通孔等间隔均匀排布。