[实用新型]利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路

权利要求书

1.一种利用反向恢复电流测量半导体双向开关载流子寿命的电路，其与被测半导体双向开关相配合，其特征在于，所述电路包括功率脉冲发生器(M1)、采样脉冲发生器(M2)、第一场效应管(FET1)、三极管(Q1)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、积分电容(C)以及电压表(J)；其中，

所述功率脉冲发生器(M1)的负极与所述被测半导体双向开关的第一端及所述采样脉冲发生器(M2)的正极相连后接地，所述功率脉冲发生器(M1)的正极与所述第一场效应管(FET1)的源极相连；

所述第一场效应管(FET1)的漏极通过所述第二电阻(R2)与所述被测半导体双向开关的第三端(a3)相连，且还通过所述第三电阻(R3)与所述三极管(Q1)的基极相连，所述第一场效应管(FET1)的栅极通过所述第一电阻(R1)与所述被测半导体双向开关的第二端(a2)相连；

所述三极管(Q1)的集电极与所述电压表(J)的正极相连，且还通过所述积分电容(C)与所述采样脉冲发生器(M2)的负极相连，所述三极管(Q1)的发射极与所述被测半导体双向开关的第三端(a3)相连。

2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述电路还包括用于稳定所述第一场效应管(FET1)栅极侧的驱动器。

3.如权利要求2所述的电路，其特征在于，所述驱动器包括第二场效应管(FET2)、第一整流二极管(D1)、第二整流二极管(D2)、电压负反馈延时网络(Td)、运算放大器(U1)、滤波电容(C1)、电感(L1)及第三场效应管(FET3)；

其中，所述第二场效应管(FET2)的栅极连接所述功率脉冲发生器(M1)的正极，第二场效应管(FET2)的源极接所述电压负反馈延时网络(Td)的输入端，所述第一整流二极管(D1)与第二整流二极管(D2)串联后与所述运算放大器(U1)的反相端相连，所述第一整流二极管(D1)还通过所述电感(L1)与所述第三场效应管(FET3)的漏极及第一场效应管(FET1)的栅极相连；

所述运算放大器(U1)的同相端连接参考电压(V_ref)，所述运算放大器(U1)的输出端通过所述电压负反馈延时网络(Td)与所述第三场效应管(FET3)的栅极相连。