[实用新型]带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201520349799.5 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN204614773U | 公开（公告）日： | 2015-09-02 |
| 发明（设计）人： | 梁士雄;房玉龙;邢东;王俊龙;杨大宝;张立森;冯志红 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L23/49 | 分类号： | H01L23/49;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 夏素霞 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 带有 悬空 引线 结构 gan 肖特基 二极管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，其特征在于：包括衬底（1），所述衬底（1）上表面的两个有源区设有高掺杂的N+型GaN层（2），两个高掺杂的N+型GaN层（2）之间设有隔离槽（3），左侧高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面设有第一欧姆接触层（4）和N-型GaN层（5），第一欧姆接触层（4）和N-型GaN层（5）保持间隔设置，右侧高掺杂的N+型GaN层（2）的上表面设有第二欧姆接触层（6），所述N-型GaN层（5）的上表面设有肖特基接触层（7），所述肖特基接触层（7）与第二欧姆接触层（6）之间通过空气桥（8）进行连接，所述第一欧姆接触层（4）上设有第一悬空梁式引线（9），所述空气桥（8）上设有第二悬空梁式引线（10）。
2.根据权利要求1所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述衬底（1）为硅衬底、蓝宝石衬底、碳化硅衬底或氮化镓单晶衬底。
3.根据权利要求1所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述欧姆接触层包括钛层、铝层、镍层和/或金层。
4.根据权利要求1所述的带有悬空梁式引线结构的GaN肖特基二极管，其特征在于：所述肖特基接触层（7）包括钛层、铂层和/或金层。
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