[实用新型]偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器

权利要求书

1.一种偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于，包括：

衬底(1)；

介质半反镜(2)，结合于所述衬底(1)表面；

下光学腔体(3)，结合于所述介质半反镜(2)表面；

介质包裹层(4)，结合于所述下光学腔体(3)表面；

NbN纳米线(5)，结合于所述介质包裹层(4)内部；

上光学腔体(7)，结合于所述介质包裹层(4)表面；

介质纳米线(6)，结合于所述介质包裹层(4)与上光学腔体(7)之间；

全反镜(8)，结合于所述上光学腔体(7)表面。

2.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述衬底(1)的材料包括二氧化硅、蓝宝石或MgO材料。

3.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述介质半反镜(2)的材料包括硅或GaAs材料。

4.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述介质包裹层(4)的材料包括硅或GaAs材料。

5.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述介质纳米线(6)的材料包括硅或GaAs材料。

6.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述下光学腔体(3)和上光学腔体(7)的材料包括二氧化硅或一氧化硅材料。

7.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述NbN纳米线(5)的厚度介于4纳米到8纳米之间。

8.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述NbN纳米线(5)包裹在所述介质包裹层(4)的中间、上端或者下端位置。

9.根据权利要求1所述偏振非敏感且高效率的超导纳米线单光子探测器，其特征在于：所述全反镜(8)的材料为金属或布拉格多层介质反射镜。