[实用新型]湿气进入传感器和计算设备有效
申请号: | 201520353897.6 | 申请日: | 2015-05-28 |
公开(公告)号: | CN204855825U | 公开(公告)日: | 2015-12-09 |
发明(设计)人: | K·卡利尼柯维;K·M·基勒;B·C·曼泽尔 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | G01V3/00 | 分类号: | G01V3/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 罗亚男 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 湿气 进入 传感器 计算 设备 | ||
1.一种湿气进入传感器,其特征在于包括:
湿气感测元件;
逻辑部分,连接到湿气感测元件;及
信号处理部分,连接到逻辑部分和湿气感测元件,其中湿气感测元件通过生成激活信号对预定的湿气量作出响应,其中激活信号触发信号处理部分向逻辑部分发送参考信号,逻辑部分输出湿气指示信号。
2.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于,湿气感测元件是包括耦合到偏置电压的第一节点和第二节点的无源部件。
3.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于还包括:
偏置开关,连接到湿气感测元件,其中偏置开关配置为由于湿气感测元件与至少预定量的湿气接触而打开。
4.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于,湿气进入传感器是以具有在0.001-0.1秒之间的周期的工作循环操作的湿气进入传感器。
5.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于,逻辑部分包括:
至少两个连接到湿气感测元件的比较器,以及连接到这至少两个比较器的AND门,其中这至少两个比较器定义确定何时AND门将使逻辑部分输出湿气指示信号的容限。
6.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于,信号处理部分包括:
运算放大器和金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,其中MOSFET和运算放大器:
连接到接地的偏置电阻器,并且
配置为由于激活信号通过MOSFET被发送而向逻辑部分提供参考电压。
7.如权利要求6所述的湿气进入传感器,其特征在于,逻辑部分还包括至少两个定义用于参考电压的高容限和低容限的比较器。
8.如权利要求1所述的湿气进入传感器,其特征在于,湿气感测元件是当湿气接口元件接触到湿气时电阻增大的湿气感测元件,并且逻辑部分是当湿气感测元件的电阻达到或超出预定的峰值电阻值时输出湿气指示信号的逻辑部分。
9.如权利要求8所述的湿气进入传感器,其特征在于,峰值电阻值基于水的电阻率。
10.一种湿气进入传感器,其特征在于包括:
湿气接口元件;
偏置开关,连接到湿气接口元件;
连接在湿气接口元件与接地的偏置电阻器之间的运算放大器和N沟道氧化物半导体场效应晶体管MOSFET;
耦合到N沟道MOSFET和湿气接口元件的逻辑部件和比较器,其中湿气进入传感器是当发生以下情况时提供湿气指示的湿气进入传感器:
湿气接口元件接触到液体,
激活信号通过N沟道MOSFET被发送,及
在比较器接收的参考电压在比较器定义的预定容限之内。
11.如权利要求10所述的湿气进入传感器,其特征在于,湿气接口元件是在接触到液体时电阻增大的无源元件。
12.如权利要求10所述的湿气进入传感器,其特征在于还包括:
至少两个比较器,其中所述至少两个比较器定义预定容限的高容限和低容限。
13.如权利要求12所述的湿气进入传感器,其特征在于,逻辑部件是配置为当参考电压低于高容限并高于低容限时输出湿气指示的AND门。
14.如权利要求10所述的湿气进入传感器,其特征在于,湿气接口元件包括配置为彼此接近的至少两个节点,并且湿气接口元件能够在湿气接口元件接触到液体并且从湿气进入传感器能够耦合到其的计算设备接收到脉动的工作循环时允许电流在所述至少两个节点之间经过。
15.一种连接到湿气进入传感器的计算设备,其特征在于,该计算设备包括:
向湿气进入传感器提供周期性电压信号的单元;
当湿气进入传感器接触到液体时使湿气进入传感器的逻辑部件发送湿气指示的单元;
从湿气进入传感器接收湿气指示的单元;及
发送打开湿气进入传感器的偏置开关的开关信号的单元。
16.如权利要求15所述的计算设备,其特征在于还包括:
由于湿气进入传感器接触到液体而阻止计算设备的一部分的进一步操作的单元。
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