[实用新型]电压浪涌保护器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术领域，特别涉及一种电压浪涌保护器件。

背景技术

随着电子技术的飞速发展，经常会有意外的电压瞬变和浪涌电流使整机系统的性能下降，出现误动作甚至损坏。尤其是在通讯系统中，雷击、电源电压波动、电磁感应等浪涌会对通信设备造成很大影响甚至是破坏。

半导体浪涌保护器件具有精确导通、无限重复和快速响应的优越性能,是其它瞬间过压保护器件所远不能及的。然而，现有的半导体浪涌保护器件存在如下不足：只有单向浪涌保护能力、即便有双向保护能力但正反向保护能力不均衡、保护响应速度慢等。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种电压浪涌保护器件及其制造方法，用于解决上述技术缺陷中的至少一个。

本实用新型一方面提供一种电压浪涌保护器件，包括：

第一导电类型的衬底；

第二导电类型的第一基区，从衬底的第一表面延伸进入衬底中；

与第一基区相对的第二导电类型的第二基区，从衬底的与第一表面相对的第二表面延伸进入衬底中；

多个第一导电类型的第一发射区，从衬底的第一表面延伸进入第一基区中；

多个第一导电类型的第二发射区，从衬底的第二表面延伸进入第二基区中，与第一发射区错开，

其中第一导电类型与第二导电类型互补。

在一个具体实施例中，多个第一发射区以及多个第二发射区的大小相同，每两个第一发射区之间的间距与每两个第二发射区之间的间距相同。

在一个具体实施例中，该器件还包括：第一导电类型的第一环形区，环绕第一基区；和/或第一导电类型的第二环形区，环绕第二基区。

在一个具体实施例中，第一环形区与第一基区的间距和第二环形区与第二基区的间距相同。

在一个具体实施例中，该器件还包括：第一导电类型的第一条形区，形成在所述第一环形区与所述多个第一发射区之间；和/或第一导电类型的第二条形区，形成在所述第二环形区与所述多个第二发射区之间。

在一个具体实施例中，该器件还包括：第二导电类型的第一注入区，从第一表面延伸进入第一基区中，并且与所述第一发射区相对设置；和/或第二导电类型的第二注入区，从第二表面延伸进入第二基区中，并且与所述第二发射区相对设置。

在一个具体实施例中，第一注入区的掺杂浓度大于第一基区的掺杂浓度；和/或第二注入区的掺杂浓度大于第二基区的掺杂浓度。

在一个具体实施例中，第一金属层，形成在第一基区上；以及第二金属层，形成在第二基区上。

在一个具体实施例中，衬底的厚度为150-190微米。

在一个具体实施例中，第一导电类型为N型，第二导电类型为P型；或者第一导电类型为P型，第二导电类型为N型。

本实用新型的电压浪涌保护器件能够提供正反向浪涌保护能力，并且在一些优选实施例中，本实用新型的电压浪涌保护器件的正、反向浪涌保护能力均衡，泄流速度快，体积小，并且该器件可以在电容不变的前提下，改变其钳位电压，以适应不同系统对浪涌保护器件的应用要求。

附图说明

通过以下参照附图对本实用新型实施例的描述，本实用新型的上述以及其他目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：

图1示出根据本实用新型的浪涌保护器件的制造方法；

图2-6、7a、7b、8示出根据本实用新型方法的各步骤形成的器件结构图；

图9示出本实用新型浪涌保护器件的电路原理图；

图10示出本实用新型浪涌保护器件正、反向过压泄流I-V曲线；

图11示出本实用新型浪涌保护器件的电路应用线路图。

应当注意的是，本说明书附图并非按照比例绘制，而仅为示意性的目的，因此，不应被理解为对本实用新型范围的任何限制和约束。在附图中，相似的组成部分以相似的附图标号标识。

具体实施方式

以下参照附图进行详细的描述，所述附图形成本实用新型的一部分，且在本实用新型中，附图通过对实施本实用新型的具体实施例的解释表示出来。应当理解的是在不偏离本实用新型的范围的情况下可以采用其它的实施例且可以进行结构上或逻辑上的改变。例如，对于一个实施例解释或描述的特征可被用于其它实施例或与其它实施例结合来生成另一个实施例。其意图在于本实用新型包括这样的修改和变化。这些示例用特定的语句描述，但它们不应被理解为对所附的权利要求范围的限制。附图仅出于解释性目的且并非按比例绘制。除非特别说明，出于清楚的目的，相应的元件在不同的附图中采用同样的附图标记表示。