[实用新型]一种功率控制电路有效
| 申请号： | 201520356411.4 | 申请日： | 2015-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN204631677U | 公开（公告）日： | 2015-09-09 |
| 发明（设计）人： | 张世雄;邱卫强 | 申请（专利权）人： | 杭州华三通信技术有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/66 | 分类号： | G05F1/66 |
| 代理公司： | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人： | 林祥 |
| 地址： | 310052 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 控制电路 | ||
1.一种功率控制电路，其特征在于，所述电路用于缓启动电路；
所述缓启动电路包括：P型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET、第一电阻、第二电阻、第一二极管、第一电容和第二电容；
其中，所述P型MOSFET的源极和所述第一电容的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第一电容的另一端接所述二极管的阳极和所述第一电阻的一端；
所述P型MOSFET的漏极接所述缓启动电路的第二端；所述P型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第三端；
所述第一二极管的阴极和所述第二电阻的一端接所述P型MOSFET的栅极；
所述第一电阻的另一端和第二电阻的另一端接地；所述第二电容接在所述P型MOSFET的漏极和所述P型MOSFET的栅极之间；
所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第三端；
所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述P型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的增加而变大。
2.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路包括：NPN型三极管和第三电阻；
所述NPN型三极管的基极接所述功率控制电路的输入端；
所述NPN型三极管的发射极经所述第三电阻接地；
所述NPN型三极管的集电极接所述功率控制电路的输出端。
3.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路的输入端接电压源；
所述电压源的输出电压由小变大。
4.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路还包括：第四电阻；
所述第四电阻接在所述NPN型三极管的基极和所述功率控制电路的输入端之间；
所述功率控制电路的输入端接所述缓启动电路的第二端。
5.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路还包括：第五电阻和第三电容；
所述第三电容接在所述NPN型三极管的基极和所述功率控制电路的输入端之间；
所述功率控制电路的输入端接所述缓启动电路的第二端；
所述第五电阻接在所述NPN型三极管的基极和地之间。
6.根据权利要求1至5任一项所述的功率控制电路，其特征在于，所述缓启动电路还包括：第六电阻、第七电阻、第二二极管和第三电容；
其中，所述第六电阻和所述第二电容串联后接在所述P型MOSFET的漏极和所述第一二极管的阴极之间；
所述第七电阻的一端接所述P型MOSFET的栅极，所述第七电阻的另一端接所述第一二极管的阴极；
所述第七电阻和所述第一二极管的阴极的公共端接所述缓启动电路的第三端；
所述第二二极管的阴极接所述第一二极管的阳极，所述第二二极管的阳极接地。
7.根据权利要求1至6任一项所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路和所述缓启动电路相互独立设置；
或者，
所述功率控制电路和所述缓启动电路集成为一体。
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