[实用新型]三维堆叠MEMS封装结构

权利要求书

1.一种三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于，包括MEMS芯片(200)、中介层(300)和IC芯片(100)，所述中介层具有上表面(300a)和下表面(300b)，所述中介层的下表面中部具有凹槽，所述凹槽周边设有贯通所述上表面和下表面的若干导电通孔(6)；所述中介层的下表面与所述MEMS芯片的正面通过密封圈(3)键合密封连接，使所述凹槽与所述MEMS芯片中部的腔体(4)相对围成一密闭空腔，所述MEMS芯片的元件(5)位于所述密闭空腔内；所述IC芯片贴装于所述中介层的上表面，所述IC芯片的电性与所述MEMS芯片的电性通过所述导电通孔进行连接；所述中介层的尺寸大于所述IC芯片的尺寸或/和所述MEMS芯片的尺寸；所述中介层上设置有若干用于将该MEMS封装结构的电性导出的焊球(304)。

2.根据权利要求1所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述导电通孔包括贯通所述中介层的上表面和下表面的孔及依次设置于所述孔内的第一绝缘层(302)、金属导电层(301)和第二绝缘层(303)，所述第一绝缘层(302)、金属导电层(301)和第二绝缘层(303)均延伸至所述中介层的上、下表面上。

3.根据权利要求2所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述IC芯片通过若干第一金属凸点(1)或倒装焊的方式与所述金属导电层电性连接。

4.根据权利要求2所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述MEMS芯片通过若干第二金属凸点(2)与所述金属导电层电性连接。

5.根据权利要求3或4所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述中介层的尺寸大于所述IC芯片的尺寸和所述MEMS芯片的尺寸，所述焊球设于所述中介层的上表面或下表面上，并与所述金属导电层电性连接。

6.根据权利要求3或4所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述中介层的尺寸大于所述MEMS芯片的尺寸，所述焊球设于所述中介层的下表面上，并与所述金属导电层电性连接。

7.根据权利要求3或4所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于：所述中介层的尺寸大于所述IC芯片的尺寸，所述焊球设于所述中介层的上表面上，并与所述金属导电层电性连接。

8.根据权利要求1所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于，所述中介层材质为半导体材料或有机材料或陶瓷材料。

9.根据权利要求2所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于，所述第二绝缘层的材料将所述孔充分填充。

10.根据权利要求1所述的三维堆叠MEMS封装结构，其特征在于，根据MEMS芯片的不同所述密闭空腔形成气体空间或者真空空间。