[实用新型]检测紫外辐射的紫外指数的集成器件、电子设备和校准系统

权利要求书

1.一种集成器件(1)，用于检测紫外(UV)辐射的UV指数，所述器件，其特征在于，包括：

光检测器(2)，被配置为根据检测到的所述UV辐射，生成电检测量；以及

处理级(6)，耦合至所述光检测器(2)，并且被配置为基于所述电检测量，在输出处提供所述UV指数的检测值，

其中所述处理级(6)被配置为基于调节因子，对所述检测量进行处理，以在所述输出处提供所述UV指数的所述检测值；并且

其中所述器件进一步包括：调节级(4)，耦合至所述处理级(6)、并且被配置为对所述调节因子的值进行调节。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述调节级(4)被配置为对所述调节因子进行调节，使得所述调节因子限定了所述检测量与所述UV指数之间的关系。

3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于，所述调节因子的值使得以下线性关系适用：

I_puvd＝G_trim·I_pid

其中I_puvd是与所述电检测量对应的电流；G_trim是所述调节因子；而I_pid是在所述光检测器(2)具有与红斑作用光谱S_er(λ)基本一致的根据波长的响应的情况下，将会由所述光检测器(2)检测到的电流。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，所述调节级(4)具有被设计为从所述集成器件(1)的外部接收调节信号的输入，并且被配置为根据所述调节信号，对所述调节因子进行调节。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，所述调节级(4)被配置为，在所述集成器件(1)的制造期间、在所述集成器件(1)的校准步骤期间，对所述调节因子的值进行调节。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，所述光检测器(2)包括半导体光敏二极管(30)。

7.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，所述处理级(6)包括：

放大器(32)，具有可变增益，所述可变增益是所述调节因子的函数，所述放大器(32)被配置为接收所述电检测量、并且根据所述检测量与所述调节因子的乘积而提供输出信号；以及

输出块(36)，被配置为基于所述输出信号，生成所述UV指数的所述检测值。

8.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，所述UV辐射由辐射源(11)生成，所述辐射源(11)的光谱辐照度具有随着波长(λ)变化而在形状上基本不变的图案。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的器件，其特征在于，进一步包括：

第一裸片(40a)，是半导体材料的，在所述第一裸片(40a)中制作有所述光检测器(2)；

第二裸片(40b)，是半导体材料的，在所述第二裸片(40b)中制作有ASIC，所述ASIC集成了所述调节级(4)和所述处理级(6)；以及

封装体(42)，容纳所述第一裸片(40a)和所述第二裸片(40b)。

10.一种电子设备(50)，其特征在于，包括根据权利要求1至3中任一项所述的集成器件(1)。

11.根据权利要求10所述的设备，其特征在于，所述设备是便携且/或可穿戴的类型的。

12.一种校准系统(10)，用于根据权利要求1至3中任一项所述的集成器件(1)，所述校准系统(10)的特征在于，包括：

参考UV指数检测器件(12)，被配置为根据参考UV辐射的检测，提供所述UV指数的参考值；以及

关联器器件(14)，耦合至所述参考UV指数检测器件(12)，以便接收所述UV指数的所述参考值，并且耦合至所述集成器件(1)的所述处理级(6)，以便接收根据由所述检测器件(12)进行的对所述参考UV辐射的检测的、所述UV指数的所述检测值；其中所述关联器器件(14)进一步耦合至所述集成器件(1)的所述调节级(4)，以改变所述调节因子的值，直到所述UV指数的所述检测值与所述参考值对应为止，从而实现所述调节因子的校准。

13.根据权利要求12所述的系统，其特征在于，进一步包括：

辐射源(11)，充当参考，被配置为生成所述参考UV辐射，所述参考UV辐射的光谱辐照度具有随着波长(λ)变化而在形状上基本不变的图案。