[实用新型]一种功率控制电路

权利要求书

1.一种功率控制电路，其特征在于，所述电路用于缓启动电路；

所述缓启动电路包括：第一电阻、N型金属-氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和第一电容；

其中，所述第一电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第一电阻的另一端接所述N型MOSFET的栅极；

所述N型MOSFET的源极接所述缓启动电路的第二端；所述N型MOSFET的漏极接所述缓启动电路的第三端；所述N型MOSFET的栅极接所述缓启动电路的第四端；

所述第一电容接在所述N型MOSFET的栅极和漏极之间；

所述功率控制电路的输入端接收输入电压，所述功率控制电路的输出端接所述缓启动电路的第四端；

所述功率控制电路，用于在所述缓启动电路上电时，控制所述N型MOSFET的漏极电流随着接收到的输入电压的减小而变大。

2.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路包括：第二电阻和PNP型三极管；

所述第二电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第二电阻的另一端接所述PNP型三极管的发射极；

所述PNP型三极管的基极接所述功率控制电路的输入端，所述PNP型三极管的集电极接所述功率控制电路的输出端。

3.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路的输入端接所述缓启动电路的第三端。

4.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路的输入端接电压源；

所述电压源的输出电压由大变小。

5.根据权利要求2所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路还包括：第三电阻和第四电阻；

所述第三电阻和第四电阻串联接在所述缓启动电路的第一端和第三端之间；

所述第三电阻和第四电阻的公共端接所述PNP型三极管的基极。

6.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路包括：第五电阻、NPN型三极管、第六电阻和第二电容；

其中，所述第五电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第五电阻的另一端接所述NPN型三极管的集电极；

所述第六电阻的一端接所述缓启动电路的第一端，所述第六电阻的另一端接所述第二电容的一端，所述第二电容的另一端接所述缓启动电路的第二端；

所述第六电阻和所述第二电容的公共端接所述NPN型三极管的基极；

所述NPN型三极管的基极接所述功率控制电路的输入端，所述NPN型三极管的发射极接所述功率控制电路的输出端。

7.根据权利要求1至6任一项所述的功率控制电路，其特征在于，所述缓启动电路还包括：二极管、第七电阻、第八电阻和第三电容；

其中，所述第七电阻的一端接所述第一电阻与所述缓启动电路的第一端相连的一端，所述第七电阻的另一端接所述第八电阻的一端；所述第八电阻的另一端接所述N型MOSFET的源极；

所述二极管的阴极接所述第七电阻和第八电阻的公共端，所述二极管的阳极接所述N型MOSFET的栅极；

所述第三电容接在所述二极管的阴极和所述N型MOSFET的源极之间。

8.根据权利要求7所述的功率控制电路，其特征在于，所述功率控制电路和所述缓启动电路相互独立设置；

或者，

所述功率控制电路和所述缓启动电路集成为一体。