[实用新型]一种边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃有效

专利信息
申请号: 201520364520.0 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN205202363U 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 付亚东;方志坚;杨桂祥;耿振搏;李亚娟;张得全;柴媛;王煥钧 申请(专利权)人: 天津耀皮工程玻璃有限公司
主分类号: B32B17/06 分类号: B32B17/06;B32B9/04
代理公司: 天津滨海科纬知识产权代理有限公司 12211 代理人: 郑聪
地址: 300409 天津市*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 不用 离线 可钢化 low 玻璃
【说明书】:

技术领域

本实用新型属于无机非金属镀膜玻璃技术领域,尤其是涉及一种边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃。

背景技术

离线Low-E玻璃具有非常好的中空隔热性能,在现代绿色节能建筑中得到了广泛的应用,但是传统的Low-E玻璃的Low-E膜层与中空结构密封胶的结合力并不能达到要求,在合成中空产品之前需要进行边部除膜加工,在保证结构胶与玻璃基片直接接触时才能保证其气密性和结合强度。此步骤需要专门的除膜机械和操作人员,占用了一定的生产成本,并且在边部除膜过程中还容易出现除膜不干净或者除膜过度造成的废品,进一步增加了Low-E中空的生产成本。如何解决这一技术问题来降低生产成本、提高生产效率成为一个亟待解决的问题。

本实用新型对Low-E中空玻璃的上述问题进行了一定的探索,从Low-E膜层入手,优化膜层结构、引入新型膜层材料,得到了一种可以不用边部除膜、直接合中空的可钢化Low-E玻璃产品,从而提出了有效的解决方案。

发明内容

有鉴于此,本实用新型旨在提出一种边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃,以节约生产成本,提高生产效率。

为达到上述目的,本实用新型的技术方案是这样实现的:

一种边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃,包括玻璃基片和镀制在所述玻璃基片上的具有特定结构的复合膜层,所述复合膜层包括由玻璃基片向外依次镀制的第一复合电介质层、第一阻挡层、银层、第二阻挡层、第二复合电介质层和第三复合电介质层。

进一步的,所述第一复合电介质层和第二复合电介质层材料为SiAlNx层、SiAlOxNy层、TiOx层、SnOx层、AlNx层、ZnAlOx层、ZnSnOx层中的至少两层。

进一步的,所述第一复合电介质层和第二复合电介质层的厚度均为10~43nm。

进一步的,所述第一阻挡层和第二阻挡层的材料为Ni、Nb、NiCr、Ta、Cr、Ti、Zr的纯金属层或者不完全氧化物层中的一层或者几层。

进一步的,所述第一阻挡层和第二阻挡层的厚度均为2~18nm。

进一步的,所述第三复合电介质层的材料为ZrAlOx层、ZrYOx层、ZrNbOx层、ZrSiOxNy层、ZrOxNy层的一层或者几层。

进一步的,所述第三复合电介质层厚度为6~20nm。

进一步的,所述银层为纯度不低于99.99%的金属银层,或者为银的含氧膜层。

进一步的,所述银层厚度为8~23nm。

相对于现有技术,本实用新型所述的边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃具有以下优势:

本实用新型所述的边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃与传统离线镀膜玻璃相比,本Low-E膜层具有较高的硬度,且与玻璃基片以及中空结构密封胶的结合力大大增强,满足传统除膜之后的Low-E中空玻璃的密封效果以及结合强度,可以不用除膜直接合中空,大大节约了生产成本,提高了生产效率,具有非常好的应用前景。

附图说明

构成本实用新型的一部分的附图用来提供对本实用新型的进一步理解,本实用新型的示意性实施例及其说明用于解释本实用新型,并不构成对本实用新型的不当限定。在附图中:

图1为本实用新型实施例所述的边部不用除膜离线可钢化Low-E玻璃的膜层结构示意图。

附图标记说明:

1-第一复合电介质层,2-第一阻挡层,3-银层,4-第二阻挡层,5-第二复合电介质层,6-第三复合电介质层,7-玻璃基片。

具体实施方式

需要说明的是,在不冲突的情况下,本实用新型中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面将参考附图并结合实施例来详细说明本实用新型。

如图1所示,本实用新型包括玻璃基片7和镀制在玻璃基片7上的具有特定结构的复合膜层,复合膜层包括由玻璃基片7向外依次镀制的第一复合电介质层1、第一阻挡层2、银层3、第二阻挡层4、第二复合电介质层5和第三复合电介质层6。

玻璃基片7为6mm普通钠钙硅浮法玻璃。

第一复合电介质层1材料为SiAlOxNy层和ZnAlOx层的叠加,起到玻璃与膜层的粘结过渡作用,并具有减反射作用。第一复合电介质层1厚度为10~43nm。

第一阻挡层2和第二阻挡层4为Ni、Nb、NiCr、Ta、Cr、Ti、Zr的纯金属层或者不完全氧化物层中的一层或者几层,第一阻挡层2和第二阻挡层4的厚度为2~18nm。

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