[实用新型]准差分电容式MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201520364824.7 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN204881958U | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 郑国光 | 申请（专利权）人： | 歌尔声学股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙) 11442 | 代理人： | 马佑平;王昭智 |
| 地址： | 261031 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 准差分 电容 mems 压力传感器 | ||
1.一种准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，包括衬底(1)，形成于所述衬底(1)上的绝缘层(2)，均形成于所述绝缘层(2)上的第一下电极(3a)和第二下电极(3b)，及支撑在所述第一下电极(3a)上方的第一上电极(4a)和支撑在所述第二下电极(3b)上方的第二上电极(4b)；所述第一上电极(4a)为压力敏感膜，且所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)之间的腔体为密闭腔体(9a)，以使所述第一上电极(4a)与所述第一下电极(3a)构成气压敏感型电容器；所述第二上电极(4b)与所述第二下电极(3b)构成电容量不随外界气压变化的基准电容器。
2.根据权利要求1所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述密闭腔体(9a)为真空腔体。
3.根据权利要求1或2所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述气压敏感型电容器还包括形成于所述第一下电极(3a)上的防撞凸起(8a)及/或形成于所述绝缘层(2)上、且穿过所述第一下电极(3a)向上突出的防撞凸起(8a)，所述防撞凸起(8a)与所述第一上电极(4a)之间具有间隙。
4.根据权利要求1所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述第二上电极(4b)也为压力敏感膜，所述基准电容器还包括用于限制所述第二上电极(4b)在外界气压作用下发生变形的限位结构。
5.根据权利要求4所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述第一上电极(4a)与所述第二上电极(4b)为一体结构。
6.根据权利要求4所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述基准电容器设置有用于支撑所述第二上电极(4b)的支撑柱(13)，以形成所述限位结构。
7.根据权利要求4所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述基准电容器设置有压力平衡孔(12)，所述基准电容器的位于所述第二上电极(4b)与所述第二下电极(3b)之间的腔体(9b′)通过所述压力平衡孔(12)与外界相通，以形成所述限位结构。
8.根据权利要求4至7中任一项所述的准差分电容式MEMS压力传感器，其特征在于，所述气压敏感型电容器与所述基准电容器除所述限位结构外具有相同的结构。
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