[实用新型]一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘

说明书

技术领域

    本实用新型涉及GaN基LED外延生产领域，特别是一种提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘结构设计技术领域。

背景技术

第三代半导体材料GaN由于具有许多硅基半导体材料所不具备的优异性能，已经广泛用于显示、光存储、激光打印、照明以及医疗和军事等领域。尤其在半导体照明领域，GaN基LED的大规模生产已经进入一个崭新阶段。GaN基LED的生产比较复杂，包括衬底材料、外延片、芯片、封装和应用等多个环节，其中，外延片的生产是整个LED产业链中的重要环节，外延片的生产对整个LED产业的发展具有重要作用。

目前，GaN基LED外延片的大规模生产主要采用三种技术，近耦合SHOWERHEAD反应室技术、行星式反应室技术和高速旋转反应室技术，这三种技术占全球市场份额90%左右。

在行星式反应室技术中，卫星盘的正面设有一个中心片槽和布置在中心片槽外围的若干边缘片槽，而卫星盘的底部中心位置有一个支撑小孔和固定栓，卫星盘通过支撑小孔和固定栓与大盘相连。由于固定栓与石墨之间热导率的差异，使得卫星盘表明温度分布不均匀，位于中心片槽内的中心片的受热温度与位于边缘片槽内的边缘片的受热温度不一致，导致在中心片槽制出的外延片的波长与在边缘片制出的外延片的波长存在较大差异，即造成外延生产中波长良率低下。

实用新型内容

针对以上设计方法的不足，本实用新型提供一种可有效提高MOCVD外延片波长良率的卫星盘。

本实用新型包括卫星盘体，在卫星盘体的背面中心开设固定栓支撑小孔，在卫星盘体的正面中心设置一个中心片槽，以所述中心片槽为对称中心，在卫星盘体的正面布置若干边缘片槽，本实用新型特点是：在所述中心片槽的底部开设内凹槽。

本实用新型采用在中心片槽的底部开设内凹槽的方式，使位于中心片槽内的中心片下底与中心片槽的底部具有一定的空隙，该空隙可降低中心片的受热温度和边缘片的受热温度的差异，从而增加中心片的波长，使加工后的中心片与边缘片的波长一致，从而提高外延片生产的波长良率。本实用新型结构简单，实用性强。

所述内凹槽的深度为10～1000微米，直径为0.1～50毫米。为了缩小中心片与边缘片的受热温差，本实用新型深度和直径的设计可根据中心片与边缘片的实际温差决定。

附图说明

图1是本实用新型配合在石墨盘上形成的外延加工设置的一种结构示意图。

具体实施方式

如图1所示，石墨盘100上具有用于配套本实用新型卫星盘盘体102的圆柱形凹槽101，凹槽101底部具有能够使卫星盘盘体102旋转的环形线槽109，圆柱形凹槽101的底部中心位置有一个圆柱形孔108，以安装固定栓107。

卫星盘盘体102的背面中心开设有固定栓支撑小孔106，以上固定栓107的上端侧伸入于该固定栓支撑小孔106内，使本实用新型的卫星盘盘体102通过固定栓107支撑在石墨盘100的圆柱形凹槽101内。

卫星盘盘体102的正面中心设置一个中心片槽105，以中心片槽105为对称中心，在卫星盘体102的正面布置若干边缘片槽103。

在中心片槽105的底部开设内凹槽104，内凹槽104的深度h为10～1000微米，内凹槽104可以是横截面为圆形的柱形，内凹槽104的直径d为0.1～50毫米。

内凹槽104的形状不限于圆柱形，也可以是棱柱形等其它形状。