[实用新型]电磁辐射测量模块

权利要求书

1.电磁辐射测量模块，包括磁性传感器芯片和输出引针，其特征在于，

所述磁性传感器芯片为单电阻结构或半桥结构或全桥结构；所述单电阻结构包括一个等效磁电阻；所述半桥结构包括两个串联的等效磁电阻；所述全桥结构包括四个等效磁电阻，其中的两个串联的等效磁电阻与另两个串联的等效磁电阻并联；所述等效磁电阻由一个或多个磁性传感元件串联和/或并联构成；

所述磁性传感元件为巨磁电阻元件和/或磁性隧道结元件构成；所述巨磁电阻元件或磁性隧道结元件为纳米级厚度的多层膜结构；所述多层膜结构包括纳米级薄膜自由层、非磁性层以及钉扎层，纳米级薄膜自由层、钉扎层分别位于非磁性层的上下两侧；

所述输出引针与磁性传感器芯片电连接，用来导入工作电流和输出信号。

2.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述自由层由磁性层或SAF层构成；所述非磁性层是由非磁性材料构成；所述钉扎层是磁性层-反铁磁层结构或SAF层-反铁磁层结构。

3.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述纳米级薄膜自由层位于非磁性层上侧，钉扎层位于非磁性层下侧。

4.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述钉扎层位于非磁性层上侧，纳米级薄膜自由层位于非磁性层下侧。

5.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，还包括运放电路，所述运放电路与磁性传感器芯片、输出引针分别电连接。

6.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述半桥结构为推挽半桥或参考半桥或梯度半桥，所述全桥结构为推挽全桥或参考全桥或梯度全桥。

7.如权利要求1所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述半桥结构、全桥结构的每个桥臂由一个或多个磁场敏感方向相同的巨磁电阻元件或磁性隧道结元件组成。

8.如权利要求6所述的电磁辐射测量模块，其特征在于，所述梯度全桥和梯度半桥中的所有桥臂的巨磁电阻元件或磁性隧道结元件的磁场敏感方向相同，并且梯度全桥中相对位置的两个桥臂位于空间中的同一位置，相邻位置的两个桥臂位于空间中的不同位置。