[实用新型]一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置

权利要求书

1.一种用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于：所述反应装置包括一表面制备有周期性纳米硅柱的硅衬底、供盛放化学反应物原料的舟以及供输入反应气体的管式真空炉，所述硅衬底和舟放置于所述管式真空炉内，所述硅衬底水平放置于所述舟的上方，且所述硅衬底上制备有周期性纳米硅柱的一面朝向所述舟上的化学反应物原料。

2.根据权利要求1所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，所述周期性纳米硅柱为蚀刻成形于所述硅衬底上的多个多边形硅柱。

3.根据权利要求2所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，每个所述多边形硅柱的高度为500-800μm，且所述多个多边形硅柱相互间的间距范围为50-200μm。

4.根据权利要求1-3任一项所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，所述舟中所盛放的化学反应物原料为氧化锌和石墨的物理混合物。

5.根据权利要求4所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，所述反映气体为惰性载流气体和氧气。

6.根据权利要求5所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，所述惰性载流气体为氩气或氮气。

7.根据权利要求5所述的用于在硅电极上制备横向纳米线网的反应装置，其特征在于，所述惰性载流气体和氧气的体积流量比为100：1.5。