[实用新型]图像传感器

权利要求书

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：多个呈阵列排布的像素单元，所述像素单元包括：

源跟随晶体管，所述源跟随晶体管的沟道区区域靠近栅极氧化层内表面设置有第一N型掺杂区域，或者所述源跟随晶体管的沟道区区域沿栅极氧化层向内依次设置有P型掺杂区域，第二N型掺杂区域；

所述源跟随晶体管的栅极氧化层较所述像素单元其它晶体管最厚的栅极氧化层薄至少5埃，增大所述源跟随晶体管的跨导。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述像素单元还包括：复位晶体管，所述复位晶体管的源级与复位电压连接；所述复位晶体管的漏极与浮置扩散区连接，所述复位晶体管设置有钳位浮置扩散区电位机制，防止所述浮置扩散区减去源跟随晶体管漏极的电位的绝对值高于源跟随晶体管的漏级、栅极之间的击穿电压。

3.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述钳位浮置扩散区电位机制为：控制所述复位晶体管的阀值电压低于0V。

4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述复位晶体管的阀值电压为大于等于-1.5V小于等于-0.5V，所述栅极电压为大于等于0V小于等于5V。

5.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一N型掺杂区域的深度为：0微米至0.2微米；掺杂浓度为：1e16 atom/cm^-3至3e18atom/cm^-3。

6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述P型掺杂区域的深度为0微米至0.05微米，掺杂浓度为1e16 atom/cm^-3至2e18atom/cm^-3；第二N型掺杂区域的深度为0微米至0.2微米 ，掺杂浓度为1e16 atom/cm^-3至3e18atom/cm^-3。

7.根据权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述复位晶体管的源级电压为：大于等于2.5V小于等于3.5V；所述源跟随晶体管的漏级电压为：大于等于2.1V小于等于3.5V。