[实用新型]LDMOS块体FINFET器件和通信设备

权利要求书

1.一种用于高压操作的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS块体finFET器件，其特征在于，所述器件包括：

形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区，其中，所述一个或多个非阱区被配置为将所述两个或更多第二阱区中的阱区分开；

源极结构，设置在被部分地形成在所述第一阱区上的第一鳍片上；

漏极结构，设置在被形成在所述两个或更多第二阱区中的最后一个上的第二鳍片上；以及

一个或多个虚设区，形成在所述一个或多个非阱区上，其中，所述虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持所述高压操作。

2.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述LDMOS块体finFET器件包括NLDMOS块体finFET器件，所述基板材料包括p型硅，所述第一阱区包括p阱区，所述两个或更多第二阱区包括n阱区，并且所述电荷载流子包括电子。

3.根据权利要求1所述的器件，其特征在于，所述LDMOS块体finFET器件包括PLDMOS块体finFET器件，所述基板材料包括硅中的深n阱，所述第一阱区包括n阱区，所述两个或更多第二阱区包括p阱区，并且所述电荷载流子包括空穴。

4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于，所述一个或多个虚设区中的每个包括形成在所述一个或多个非阱区中的一个上的虚设鳍片，其中，所述一个或多个虚设区中的每个能被配置为允许所述用于电荷载流子的垂直流动路径穿过所述虚设鳍片。

5.一种通信设备，其特征在于，包括：

发送器电路，包括射频RF功率放大器，其中，所述RF功率放大器包括用于高压操作的横向双扩散金属氧化物半导体LDMOS块体finFET器件，每个LDMOS块体finFET器件包括：

形成在基板材料上的第一阱区和两个或更多第二阱区以及包括基板材料的一个或多个非阱区，其中，所述一个或多个非阱区被配置为将所述两个或多个第二阱区中的阱区分开；

源极结构，设置在被部分地形成在所述第一阱区上的第一鳍片上；

漏极结构，设置在被形成在所述两个或更多第二阱区中的最后一个上的第二鳍片上；以及

一个或多个虚设区，形成在所述一个或多个非阱区上，其中，所述虚设区被配置为提供包括用于电荷载流子的垂直流动路径的附加耗尽区流动路径以支持所述高压操作。

6.根据权利要求5所述的通信设备，其特征在于，所述一个或多个虚设区中的每个包括形成在所述一个或多个非阱区中的一个上的虚设鳍片，并且其中，所述一个或多个虚设区中的每个能被配置为允许所述用于电荷载流子的垂直流动路径穿过所述虚设鳍片。