[实用新型]复合式薄膜太阳能电池有效
申请号: | 201520381614.9 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN204760396U | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 翁圣文;胡新喜 | 申请(专利权)人: | 河南晶太阳新能源发展有限公司 |
主分类号: | H01L31/0445 | 分类号: | H01L31/0445;H01L31/0203;H01L31/024 |
代理公司: | 郑州德勤知识产权代理有限公司 41128 | 代理人: | 黄军委 |
地址: | 466000 河南省周口市*** | 国省代码: | 河南;41 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 薄膜 太阳能电池 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池,具体的说,涉及了一种有效降低热斑效应的复合式薄膜太阳能电池。
背景技术
太阳能电池是通过光电效应或者光化学效应直接把光能转化成电能的装置。目前太阳能电池在应用中存在热斑效应,热斑效应是指:在一定条件下,一串联支路中被遮蔽的太阳电池组件,将被当作负载消耗其他有光照的太阳电池组件所产生的能量。被遮蔽的太阳电池组件此时会发热,这就是热斑效应,这种效应能严重的破坏太阳电池。有光照的太阳电池所产生的部分能量,都可能被遮蔽的电池所消耗。在实际使用太阳电池中,若热斑效应产生的温度超过了一定极限将会使电池组件上的焊点熔化并毁坏栅线,从而导致整个太阳电池组件的报废,热斑效应使太阳电池组件的实际使用寿命至少减少10%。尽管太阳电池组件安装时都要考虑阴影的影响,并加配保护装置以减少热斑的影响,但热斑现象是不可避免的。
为了解决以上存在的问题,人们一直在寻求一种理想的技术解决方案。
发明内容
本实用新型的目的是针对现有技术的不足,从而提供一种设计科学、有效散热、有效降低热斑效应的复合式薄膜太阳能电池。
为了实现上述目的,本实用新型所采用的技术方案是:一种复合式薄膜太阳能电池,包括平行设置的玻璃顶板和玻璃底板,所述玻璃顶板和所述玻璃底板之间设置有复合式薄膜层,所述复合式薄膜层包括设于所述玻璃底板上表面的镁合金散热层、设于所述镁合金散热层上表面的EVA层以及设于所述EVA层上表面的发电主体层。其中,本实用新型中的“EVA”是指EVA为乙烯-醋酸乙烯共聚物。
基于上述,所述镁合金散热层上设有电流正负极输出端。
本实用新型相对现有技术具有实质性特点和进步,具体的说,所述复合式薄膜太阳能电池中的所述镁合金散热层的镁合金材料的导热系数比较低,不容易聚集太阳能电池中的热量,容易将热量扩散出去,有效避免太阳能电池的局部温度过高,加之镁合金散热层具有良好的反光作用,从而有效降低了热斑效应,使得太阳能电池的使用寿命明显延长。因此,所述复合式薄膜太阳能电池具有设计科学、有效散热、有效降低热斑效应的优点。
附图说明
图1是本实用新型提供的复合式薄膜太阳能电池的结构示意图。
图中:1.玻璃顶板;2.发电主体层;3.EVA层;4.镁合金散热层;5.玻璃底板。
具体实施方式
下面通过具体实施方式,对本实用新型的技术方案做进一步的详细描述。
如图1所示,本实用新型提供一种复合式薄膜太阳能电池,包括平行设置的玻璃顶板1和玻璃底板5,其特征在于:所述玻璃顶板1和所述玻璃底板5之间设置有复合式薄膜层,所述复合式薄膜层包括设于所述玻璃底板5上表面的镁合金散热层4、设于所述镁合金散热层4上表面的EVA层3以及设于所述EVA层3上表面的发电主体层2,所述镁合金散热层4上设有电流正负极输出端。其中,所述EVA层3中的EVA材料具有良好的化学稳定性和透光性。
所述镁合金散热层4采用涂布或溅镀的方式形成在所述玻璃底板5的上表面,所述EVA层3采用涂布的方式形成在所述镁合金散热层4的上表面,所述发电主体层2采用涂布或溅镀的方式形成在所述EVA层3上表面。
最后应当说明的是:以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案而非对其限制;尽管参照较佳实施例对本实用新型进行了详细的说明,所属领域的普通技术人员应当理解:依然可以对本实用新型的具体实施方式进行修改或者对部分技术特征进行等同替换;而不脱离本实用新型技术方案的精神,其均应涵盖在本实用新型请求保护的技术方案范围当中。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河南晶太阳新能源发展有限公司,未经河南晶太阳新能源发展有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520381614.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:内置可收纳电源线的充电器
- 下一篇:一种非挥发性阻变存储器有源集成结构
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的