[实用新型]清洗装置及具有其的烧结炉系统有效
申请号: | 201520383902.8 | 申请日: | 2015-06-04 |
公开(公告)号: | CN204651290U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 张晓朋;李贺南;王月超;曹锦鹏;王洪鹤;杨少华 | 申请(专利权)人: | 英利能源(中国)有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/67 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;吴贵明 |
地址: | 071051 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 清洗 装置 具有 烧结炉 系统 | ||
技术领域
本实用新型涉及工业烧结炉技术领域,具体而言,涉及一种清洗装置及具有其的烧结炉系统。
背景技术
一般设备中的某些部件在长期使用过程会变脏而影响设备的有效运转,因此需要将这些部件进行定期清洗。以烧结炉为例:
晶硅电池的生产主要流程为:制绒、扩散、湿法刻蚀、减反射膜的沉积、丝网印刷和烧结。在常规晶体硅生产流程中,硅片直接进行酸腐蚀制绒以形成绒面效果,从而起到减小反射的作用。然后进行扩散以形成一定扩散深度的PN结,接着进行湿法刻蚀处理去除硅片四周的扩散层和表面的绝缘层,从而避免PN结导通时形成漏电,然后利用PECVD工艺沉积氮化硅减反射层,减少太阳光的反射损失同时起到钝化的作用提高载流子的少子寿命,最后利用丝网将金属浆料印刷在硅片表面。通常情况下,晶硅电池的正面主栅和细栅是同时印刷到硅片上的,最后通过烧结炉完成烧结工艺,形成晶硅电池的正负极,完成晶硅电池的制备。
烧结炉炉体分为三部分:烘干区、烧结区、冷却区。烘干区是对最后一道印刷工艺后硅片表面浆料进行烘干;烧结区是完成铝背场和正面栅线烧结以形成电极。烧结炉实现了三个目的:烘干、去除浆料中的油质成分、铝背场和栅线烧结以形成太阳电池正负极。
在正常生产过程中,由于浆料中有机成分较多,因而高温下挥发时有机成分会附着在烧结炉带表层,时间长了,这层附着油污或污物越来越厚,从而影响电池片在烧结炉腔室内的受热,造成铝背场和烧结炉带的接触部位烧结程度不够,进而在包装分选时容易对相邻电池片正面造成划痕,影响电池外观。
现有技术中清洗烧结炉带的方法是将烧结炉带拆下后利用超声波浸泡清洗,流程如下:烧结炉停止工作,并将烧结炉降温;待温度降到50℃以下时,将烧结炉带拆下;将拆下的烧结炉带放到准备好的超声波槽体内进行超声清洗;待清洗大约24H后查看清洗效果,若效果好将烧结炉带捞出并晾干;将洗净晾干的烧结炉带重新安装到烧结炉上;开启烧结炉,等待烧结炉升温,到达工艺温度并稳定后进行生产。
上述清洗烧结炉带的方法虽然能达到清洗烧结炉带的目的,但存在如下缺点:
1.需要将烧结炉带拆下清洗,清洗周期长,耽误烧结炉正常生产;
2.拆卸烧结炉带时烧结炉需要降温,清洗晾干后安装烧结炉带后烧结炉需要升温,烧结炉反复降温和升温会缩短加热管的使用寿命;
3.拆卸和安装烧结炉带都需要多个人员进行操作,浪费人力,且拆卸和安装烧结炉带时易损伤烧结炉带。
因此,现有技术中的设备的待清洗部件在清洗时需要将其从设备上拆卸下来,存在清洗周期长、清洗效率低的问题。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于提供一种清洗装置及具有其的烧结炉系统,以解决现有技术中没有专用的清洗装置必须将待清洗部件拆卸后才可清洗导致操作复杂、清洗效率低的问题。
为了实现上述目的,根据本实用新型的一个方面,提供了一种清洗装置,包括清洗部和烘干部,清洗部为至少两个,清洗部和烘干部沿待清洗部件的运动方向依次排列设置。
进一步地,清洗部还包括水洗组件和风洗组件,风洗组件设置在水洗组件的下游位置处。
进一步地,水洗组件包括超声波清洗槽和刷辊,刷辊设置在超声波清洗槽内。
进一步地,刷辊位于超声波清洗槽的底部。
进一步地,刷辊为多个,多个刷辊沿待清洗部件的运动方向间隔排列设置。
进一步地,刷辊为两排,两排刷辊叠置以形成用于待清洗部件通过的刷洗清洁通道。
进一步地,清洗装置还包括加热部,加热部设置在超声波清洗槽内。
进一步地,超声波清洗槽为两个,且远离烘干部的一个超声波清洗槽内设置有加热部。
进一步地,风洗组件包括风刀,风刀位于水洗组件的下游位置处。
进一步地,风刀为多个,多个风刀沿待清洗部件的运动方向间隔排列设置。
进一步地,风刀为两排,两排风刀叠置以形成用于待清洗部件通过的风洗清洁通道。
进一步地,风刀的朝向待清洗部件的一侧具有出风口,出风口为长孔、或间隔排列的多个圆孔、或间隔排列的多个方形孔、或间隔排列的多个腰形孔、或间隔排列的多个三角形孔。
进一步地,烘干部为多个,多个烘干部沿待清洗部件的运动方向间隔排列设置。
进一步地,烘干部为两排,两排烘干部叠置以形成用于待清洗部件通过的烘干通道。
进一步地,清洗装置还包括多个导向托辊,多个导向托辊沿待清洗部件的运动方向设置在清洗部和/或烘干部内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造