[实用新型]一种放大器的输入级电路、放大器、陀螺仪及电子设备有效
申请号: | 201520384122.5 | 申请日: | 2015-06-05 |
公开(公告)号: | CN204807091U | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 胡家安 | 申请(专利权)人: | 成都艾德沃传感技术有限公司 |
主分类号: | G01C19/5776 | 分类号: | G01C19/5776 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 610041 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 输入 电路 陀螺仪 电子设备 | ||
1.一种放大器的输入级电路,其特征在于,包括:
第一开关电路,用于接收输入信号,并将所述输入信号调制为第一高频信号,并输出所述第一高频信号;
输入对管,用于接收所述第一高频信号,并将所述第一高频信号放大为第二高频信号,并输出所述第二高频信号;
第二开关电路,用于接收所述第二高频信号,并将所述第二高频信号解调为第三低频信号,以及将所述输入对管输出的闪烁噪声调制为第四高频信号,以及输出所述第三低频信号,所述第三低频信号为所述输入级电路的输出信号。
2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述第一开关电路包括:第一P型金属氧化物半导体场效应晶体管PMOSFET、第二PMOSFET、第三PMOSFET、第四PMOSFET;
其中,所述第一PMOSFET、所述第二PMOSFET的漏极接收所述输入信号,所述第三PMOSFET、所述第四PMOSFET的漏极接收参考信号,所述第一PMOSFET、所述第四PMOSFET的栅极接收第一载波信号,所述第二PMOSFET、所述第三PMOSFET的栅极接收第二载波信号,所述第一PMOSFET、所述第三PMOSFET共源极,所述第二PMOSFET、所述第四PMOSFET共源极,所述第一PMOSFET的源极与所述输入对管的第一输入端相连,所述第四PMOSFET的源极与所述输入对管的第二输入端相连,所述第一载波信号与所述第二载波信号相位互补。
3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述输入对管包括:第一N型金属氧化物半导体场效应晶体管NMOSFET、第二NMOSFET;
其中,所述第一NMOSFET的栅极为所述输入对管的第一输入端,所述第二NMOSFET的栅极为所述输入对管的第二输入端,所述第一NMOSFET、所述第二NMOSFET共源极,且所述第一NMOSFET、所述第二NMOSFET的源极接收偏置电路提供的工作电流,所述第一NMOSFET的漏极与所述第二开关电路的第一输入端相连,所述第二NMOSFET的漏极与所述第二开关电路的第二输入端相连。
4.如权利要求3所述的电路,其特征在于,所述第二开关电路包括:第五PMOSFET、第六PMOSFET、第七PMOSFET、第八PMOSFET;
其中,所述第五PMOSFET、所述第六PMOSFET共漏极,所述第七PMOSFET、所述第八PMOSFET共漏极,所述第五PMOSFET的漏极为所述第二开关电路的第一输入端,所述第八PMOSFET的漏极为所述第二开关电路的第二输入端,所述第五PMOSFET、所述第八PMOSFET的栅极接收所述第一载波信号,所述第六PMOSFET、所述第七PMOSFET的栅极接收所述第二载波信号,所述第五PMOSFET、所述第七PMOSFET共源极,所述第六PMOSFET、所述第八PMOSFET共源极,所述第五PMOSFET的源极输出所述第三低频信号。
5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,还包括:
镜像对管,包括:第九PMOSFET、第十PMOSFET;
其中,所述第九PMOSFET、所述第十PMOSFET的源极连接电压源,所述第九PMOSFET、所述第十PMOSFET的栅极与所述第八PMOSFET的源极相连,所述第九PMOSFET的漏极与所述第五PMOSFET的源极相连,所述第十PMOSFET的的漏极与所述第八PMOSFET的源极相连。
6.一种放大器,其特征在于,包括:
如权利要求1-5中任一项所述的输入级电路;
输出级电路,用于接收所述第三低频信号,并输出第五信号,所述第五信号为所述放大器的输出信号;
偏置电路,用于为所述输入级电路以及所述输出级电路提供工作电流。
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