[实用新型]共聚焦显微控制荧光仪有效

专利信息
申请号: 201520388279.5 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN204924942U 公开(公告)日: 2015-12-30
发明(设计)人: 陈小梅 申请(专利权)人: 陈小梅
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350206 福建*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 聚焦 显微 控制 荧光
【说明书】:

技术领域

实用新型涉及一种用于观察分析新材料分子或原子量级大小的装置,尤其涉及一种共聚焦显微控制荧光仪,属于显微电子设备领域。

背景技术

纳米材料是指在三维空间中至少有一个维度的尺寸小于100nm或者由它们作为基本单元构成的材料。由于它的尺寸已经接近电子的相干长度,它的性质因为强相干所带来的自组织使得性质发生很大变化,如光学、热学、电学、磁学、力学以及化学方面的性质和块体材料相比将会有显著的不同。所以,纳米尺度和性能特异变化是纳米材料必须同时具备的两个基本特征。

半导体纳米材料的量子尺寸效应和表面与界面等效应,使其表现出独特的光学特性,如光学发光性、吸收带边蓝移、激子发光等。尤其是II-VI族一维纳米材料,它们是宽的直接带隙半导体材料,是典型的光电半导体材料。带隙半导体材料,是典型的光电半导体材料。以硒化镉为(CdSe)例,作为典型的光电半导体材料之一,本身具有独特的光电学性质,在作为光源、光吸收、光波导、光致发光和光电转换等方面有着广阔的应用前景。

目前国内尚无成熟的专门用来制备半导体纳米材料相关样品的装置,也没有配套的测试仪器。

实用新型内容

为了克服现有技术的不足,解决好现有技术的问题,弥补现有目前市场上现有产品的不足。

本实用新型提供了一种共聚焦显微控制荧光仪,由激光发射器、第一狭缝、第一半反半透镜、滤光片、第二半反半透镜、照相机、显微物镜、样品台、狭缝、第三狭缝和光谱仪构成,按照激光光路的方向依次设置激光器、第一狭缝、第一半反半透镜、第二狭缝、第三狭缝和光谱仪。

优选的,上述激光发射器和第一狭缝之间设置有第一聚光透镜,第一狭缝和第一半反半透镜之间设置有准直透镜。

优选的,上述第一半反半透镜和第二狭缝之间设置有第三聚光透镜,第二狭缝和第三狭缝之间设置有第三聚光透镜。

优选的,按照激光光路方向还依次设置有激光器、第一狭缝、第一半反半透镜、显微物镜和样品台。

优选的,按照激光光路方向还依次设置有激光器、第一狭缝、第一半反半透镜、滤光片、第二半反半透镜和照相机。

本实用新型提供的共聚焦显微控制荧光仪,可以得到材料带隙、缺陷、杂质能级以及复合机制等参数信息,通过对发光谱中峰位、半高宽等的分析,为科学实验提供证据。

附图说明

图1为本实用新型结构示意图。

附图标记:1-激光发射器;2-第一狭缝;3-第一半反半透镜;4-滤波片;5-第二半反半透镜;6-照相机;7-显微物镜;8-样品台;9-第二狭缝;10-第三狭缝;11-光谱仪;12-第一聚光透镜;13-准直透镜;14-第二聚光透镜;15-第三聚光透镜。

具体实施方式

为了便于本领域普通技术人员理解和实施本实用新型,下面结合附图及具体实施方式对本实用新型作进一步的详细描述。

本实用新型提供的共聚焦显微控制荧光仪,主要结构如图1所示,由激光发射器1、第一狭缝2、第一半反半透镜3、滤光片4、第二半反半透镜5、照相机6、显微物镜7、样品台8、狭缝9、第三狭缝10和光谱仪11构成,按照激光光路的方向依次设置激光器1、第一狭缝2、第一半反半透镜3、第二狭缝9、第三狭缝10和光谱仪11。激光发射器1和第一狭缝2之间设置有第一聚光透镜12,第一狭缝2和第一半反半透镜3之间设置有准直透镜13。第一半反半透镜3和第二狭缝9之间设置有第三聚光透镜14,第二狭缝9和第三狭缝10之间设置有第三聚光透镜15。

按照激光光路方向还依次设置有激光器1、第一狭缝2、第一半反半透镜3、显微物镜7和样品台8。按照激光光路方向还依次设置有激光器1、第一狭缝2、第一半反半透镜3、滤光片4、第二半反半透镜5和照相机6。

本实用新型提供的共聚焦显微控制荧光仪,其工作原理为:激光器1出射激光经由外部光路进入显微镜7照射到样品上,样品受到激光的激发,产生光致发光,样品发出的光由显微镜7的物镜进行收集,经过显微镜7里的镜片组(半反半透的透镜)变成平行光,使得样品所发荧光分为两部分,一部分进入照相机6进行成像,一部分经由透镜聚焦后进入光谱仪11。

通过对光致发光峰的分析我们可以得到:物质的特征电子跃迁,粒子是否有表面缺陷发光,样品的发光性能、能级结构和表面状态等信息。

以上所述之具体实施方式为本实用新型的较佳实施方式,并非以此限定本实用新型的具体实施范围,本实用新型的范围包括并不限于本具体实施方式,凡依照本实用新型之形状、结构所作的等效变化均在本实用新型的保护范围内。

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