[实用新型]一种推挽式X轴磁电阻传感器

权利要求书

1.一种推挽式X轴磁电阻传感器,其特征在于，包括：衬底、位于衬底之上的错列软磁通量集中器阵列和推挽式磁电阻传感单元电桥；

所述错列软磁通量集中器阵列包括至少两个软磁通量集中器，所述每个软磁通量集中器均包含矩形正X向bar1长条、负X向bar2长条以及一个0磁阻桥，所述bar1长条和bar2长条长轴平行于Y轴方向且短轴平行于X轴方向，所述0磁阻桥长轴平行于X轴方向、短轴平行于Y轴方向且长轴两端分别与bar1长条和bar2长条互联，所述软磁通量集中器之间形成错列结构，并在X方向形成错列间隙GapX1和未错列间隙GapX2；

所述推挽式磁电阻传感单元电桥至少包括一个推臂和一个挽臂，所述推臂包括至少一个推磁电阻传感单元串，所述挽臂包括至少一个挽磁电阻传感单元串，所述推、挽磁电阻传感单元串均分别包括多个互联磁电阻传感单元，所述推磁电阻传感单元串位于所述错列间隙GapX1处，所述挽磁电阻传感单元串位于所述未错列间隙GapX2处，且所述磁电阻传感单元的磁场敏感方向为X方向。

2.根据权利要求1所述的一种推挽式X轴磁电阻传感器,其特征在于,所述推挽式X轴磁电阻传感器还包括校准线圈和/或重置线圈；所述校准线圈包括平行于所述推、挽磁电阻传感单元串的推校准直导线和挽校准直导线，当校准电流通过所述校准线圈时，分别在所述推磁电阻传感单元串处和所述挽磁电阻传感单元串处产生沿X和-X方向的幅度相同的校准磁场分量；

所述重置线圈包括垂直于所述磁电阻传感单元串的重置直导线，当重置线圈通重置电流时，在所有磁电阻传感单元处沿Y方向产生幅度相同的重置磁场分量。

3.根据权利要求1所述的一种推挽式X轴磁电阻传感器,其特征在于，所述软磁通量集中器为U形或H形，所述U形软磁通量集中器的所述bar1长条和bar2长条的正Y端对齐或者负Y端对齐，并连接到所述0磁阻桥上，所述bar1长条和bar2长条之间形成U间隙，所述H形软磁通量集中器的所述0磁阻桥连接所述bar1长条和所述bar2长条中点，所述bar1长条和bar2长条之间形成H间隙，所述H间隙根据Y轴方向分为正H间隙和负H间隙。

4.根据权利要求1所述的一种推挽式X轴磁电阻传感器,其特征在于，所述错列软磁通量集中器阵列由所述U形软磁通量集中器或者所述H形软磁通量集中器或者所述U形软磁通量集中器与H形软磁通量集中器组成，且沿X方向形成1个错列间隙列，任一个所述软磁通量集中器，至少存在一个其他所述软磁通量集中器与之形成错列结构，且正X向长条bar1和负X向长条bar2的长轴在Y方向跨越所有所述错列间隙。

5.根据权利要求1所述的一种推挽式X轴磁电阻传感器，其特征在于，所述错列软磁通量集中器阵列由所述U和H形软磁通量集中器或者仅由所述H软磁通量集中器组成，且形成M行N列所述错列间隙阵列，其中，Y方向，第1列和第N列所述错列间隙为所述H、U形软磁通量集中器之间的错列间隙或所述H软磁通量集中器之间的错列结构，当N为大于等于3的整数时，中间第2列到第N-1列所述错列间隙均对应所述H软磁通量集中器之间的所述错列结构；

X方向，每列均包括M个所述错列间隙，其中，最上端的所有所述软磁通量集中器正X向长条bar1和最下端的所有所述软磁通量集中器负X向长条bar2分别合并成一个D1和D2端长条，所述D1和D2端长条长轴在Y方向跨越所有所述错列间隙；M、N为大于等于2的整数。