[实用新型]硅岛膜结构的MEMS压力传感器有效
| 申请号： | 201520397495.6 | 申请日： | 2015-06-10 |
| 公开（公告）号： | CN204718717U | 公开（公告）日： | 2015-10-21 |
| 发明（设计）人： | 杜少博;何洪涛;王伟忠;杨拥军 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18;G01L9/06 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 黄辉本 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 膜结构 mems 压力传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅岛膜结构的MEMS压力传感器，其特征在于：所述传感器包括第二硅层（4），所述第二硅层（4）的下表面设有硅岛膜结构，所述第二硅层（4）的上表面设有第三绝缘层（5），所述第三绝缘层（5）的上表面设有四个压阻（7），四个压阻（7）通过金属布线进行互联构成惠斯通电桥，所述第三绝缘层（5）的上表面设有引线孔（9）。
2.根据权利要求1所述的硅岛膜结构的MEMS压力传感器，其特征在于：所述硅岛膜结构包括间隔设置的左硅岛膜组件、中间硅岛膜组件和右硅岛膜组件，左硅岛膜组件、中间硅岛膜组件和右硅岛膜组件从上到下为第二绝缘层（3）和第一硅层（2），所述左硅岛膜组件和右硅岛膜组件的结构相同，所述左硅岛膜组件和右硅岛膜组件上的第一硅层（2）的厚度大于中间硅岛膜组件上的第一硅层（2）的厚度。
3.根据权利要求2所述的硅岛膜结构的MEMS压力传感器，其特征在于：所述左硅岛膜组件与中间硅岛膜组件之间以及中间硅岛膜组件与右硅岛膜组件之间形成间隔，所述压阻（7）与上述间隔相对。
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