[实用新型]TF卡读取电路及TF卡读卡器

说明书

【技术领域】

本实用新型涉及存储卡技术领域，尤其涉及一种TF卡读取电路及使用该电路的TF卡读卡器。

【背景技术】

现有TF卡电路解决方案多采用台湾的升迈电子有限公司的集成芯片GM8136来完成。该解决方案能读出质量相对较好的TF卡。但质量相对较差的TF卡，会对TF卡读取电路中的SD-CLK时钟电路产生干扰。使用过程中，时钟的不正常会导致读不出卡。

市面上的TF卡的质量优劣区别主要在于稳定性和传输速度两个方面。例如，质量较差的卡虽然容量为2G，但由于制作工艺问题导致的降低的稳定性，在使用时会造成数据丢失，且不支持热插拔。

综上，现有的TF卡读取电路对TF卡的质量要求比较严格，在遇到尽管功能正常但质量较差、稳定性不足的TF卡时，很容易出现读不出卡的情况。

因此有必要改进TF卡读取电路，以克服上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型要解决的技术问题是克服现有技术中的TF卡读取电路对TF卡质量要求严格，难以读取稳定性不足的TF卡的问题，提供一种改进的TF卡读取电路，以及包含该电路的TF卡读取器。

为解决上述技术问题，本实用新型提供以下技术方案

一方面，本实用新型提供一种TF卡读取电路，所述TF卡读取电路采用集成芯片解决方案，其中，高容量SD存储卡SDHC驱动模块连接外围电路，以进行对TF卡的读取，所述外围电路包括电压源接口、SD命令接口、SD数据接口1、SD数据接口2、SD数据接口3、SD数据接口4、SD 时钟接口、SD卡监测数据位接口和接地接口，所述电压源接口连接供电电源，并通过并联由电容C1和电容C2构成的低通滤波器，保证对TF卡供电电源的稳定；所述SD命令接口、SD数据接口1、SD数据接口2、SD数据接口3、SD数据接口4和SD卡监测数据位接口分别通过上拉电阻R连接所述供电电源；所述SD时钟接口通过一个由电阻R1和电容C3构成的低通滤波器后，连接SDHC驱动模块的时钟接口。

在一些实施例中，所述上拉电阻R阻值可以为10K欧姆。

在一些实施例中，所述电容C1和电容C2的电容值分别可以为10uF和0.01uF。

在一些实施例中，所述低通滤波器中电阻R1的阻值可以为10K欧姆，电容C3的电容值可以为33pF。

在一些实施例中，所述SD卡监测数据位接口通过并联电容C4后接地，构成低通电路。

在一些实施例中，所述电容C4的电容值可以为0.1uF。

在一些实施例中，所述外围电路用于连接TF卡卡槽对应接口。

在一些实施例中，所述集成芯片可以为GM8136S或GM8126。

另一方面，本实用新型提供一种包括这样的TF卡读取电路的TF卡读卡器。

在一些实施例中，所述TF卡读取器尤其适用于网络摄像机TF卡的读取。

本实用新型的有益效果在于：通过在TF卡读取电路中增加接地电容C3，读卡过程中高频干扰会随着该电容旁路到地，籍此改善了TF卡读取电路的兼容性和抗干扰性。使用包括该TF卡读取电路的读卡器，不仅能够读取质量较优的TF卡，而且还能够读取稳定性较差、传输速度慢、不支持热插拔的TF卡。因此，扩大了网络摄像机匹配TF卡的可选择性；降低了因读不到TF卡，而导致网络摄像机图像不能存储的风险，为网络摄像机的TF卡使用过程带来了方便和保障。

【附图说明】

图1示意性地示出根据本实用新型的一个实施例的TF卡读取电路中， 集成芯片GM8136的模块结构。

图2示意性地示出根据本实用新型的一个实施例的TF卡读取电路图。

【具体实施方式】

为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。