[实用新型]二次电池电芯有效

专利信息
申请号: 201520404064.8 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN204809314U 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 郭培培;何平;赵义;方宏新;程文强 申请(专利权)人: 宁德时代新能源科技有限公司
主分类号: H01M4/13 分类号: H01M4/13;H01M4/72;H01M10/0587;H01M10/0525
代理公司: 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 代理人: 张向琨
地址: 352100 福建省宁德*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 二次 电池
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及电化学储能装置,尤其涉及一种二次电池电芯。

背景技术

锂离子电池(为二次电池的一种)在各类电子产品中均有广泛的应用。随着电子产品趋向小型化、智能化,对锂离子电池的能量密度提出了更高的要求。现有技术主要是通过在极片上开设凹槽,将极耳焊接在凹槽内,从而达到提升能量密度的目的。

于2014年7月23日授权公告的中国专利文献CN203733894U公开了一种锂离子电池,其中阴极膜片上设置有第一凹槽,阳极膜片上设置有第二凹槽,阴极极耳焊接于第一凹槽内,阳极极耳焊接于第二凹槽内,阴极极耳的上下两个表面上覆盖有第一绝缘胶层,第二凹槽对应的阴极膜片的表面贴有第二绝缘胶层。然而,在充放电循环过程中,由于阴极膜片的表面上的第二绝缘胶层无法阻止被粘盖的阴极膜片中的活性锂游离出来,因此被第二绝缘胶层粘盖的阴极膜片中的活性锂将通过浓差扩散游离至对位的阳极极耳处,但对位的阳极极耳为第二凹槽而无足够空间镶嵌上述游离出的活性锂,因此活性锂将富集在阳极极耳处,使得阳极极耳处出现严重的析锂问题。同时,在该专利文献中,第一绝缘胶层和第二绝缘胶层为绿胶,绿胶为单面绝缘胶层,由于单面绝缘胶层的背面非常光滑,使得单面绝缘胶层的背面和隔离膜接触时不能粘附在一起,造成锂离子电池在粘贴了单面绝缘胶层的区域比较疏松,在锂离子电池的电芯整形工序及充放电过程中,该区域隆起而成为最大变形区,因此该结构的锂离子电池还存在着严重的变形问题。

实用新型内容

鉴于现有技术中存在的问题,本实用新型的目的在于提供一种二次电池电芯,当二次电池电芯形成二次电池后,在提高二次电池的能量密度的同时,能减轻二次电池在充放电过程中阴极活性物质富集在阳极极耳处,减轻阳极极耳处出现析出阴极活性物质的问题,提高二次电池的安全性能。

为了实现上述目的,本实用新型提供了一种二次电池电芯,其包括阳极极片、阳极极耳、阴极极片、阴极极耳以及隔离膜。阳极极片包括:阳极集流体;以及阳极膜片,设置在阳极集流体的表面。阴极极片包括:阴极集流体;以及阴极膜片,设置在阴极集流体的表面。隔离膜设置于阳极极片和阴极极片之间。阳极极片形成有:阳极极耳收容凹槽,底部为阳极集流体而周侧为阳极膜片,阳极极耳收容于阳极极耳收容凹槽内并电连接于阳极极耳收容凹槽处的阳极集流体。阴极极片形成有:阴极极耳收容凹槽,底部为阴极集流体而周侧为阴极膜片,阴极极耳收容于阴极极耳收容凹槽内并电连接于阴极极耳收容凹槽处的阴极集流体。阴极极片还形成有:阴极极片对位凹槽,底部为阴极集流体而周侧为阴极膜片,位于阴极极片的与阳极极耳收容凹槽对位的区域。

本实用新型的有益效果如下:

在根据本实用新型所述的二次电池电芯中,阴极极片对位凹槽位于阴极极片的与阳极极耳收容凹槽对位的区域,阴极极片对位凹槽无阴极活性物质存在,所以当二次电池电芯形成二次电池后,在利用阳极极耳收容凹槽收容阳极极耳、阴极极耳收容凹槽收容阴极极耳来提高二次电池的能量密度的同时,因为阴极极片对位凹槽与阳极极耳对位,从而减少了向阳极极耳游离的阴极活性物质,从而减少了阴极活性物质游离扩散至对位的阳极极耳处,进而能减轻在二次电池充放电过程中阴极活性物质富集在阳极极耳处,最终减轻了阳极极耳处出现析出阴极活性物质的问题,提高二次电池的安全性能。

附图说明

图1是根据本实用新型的一实施例的二次电池电芯卷绕成型后的结构示意图;

图2是图1的二次电池电芯的阴极极片展开后的两个视图,其中(a)为平行于图1的纸面方向做出的剖视图,而(b)为仰视图;

图3是图1的二次电池电芯的阳极极片展开后的两个视图,其中(a)为平行于图1的纸面方向做出的剖视图,而(b)为俯视图;

图4是图1的两个虚线方框区域的放大示意图,为了清楚起见,以剖视图方式示出,其中(a)为由箭头A指示的右侧方框区域的放大示意图,而(b)为由箭头B指示的左侧方框区域的放大示意图;

图5示出了图4的替代实施例的结构示意图;

图6是根据本实用新型另一实施例的二次电池电芯卷绕成型后的示意图;

图7是图6的两个虚线方框区域的放大示意图,为了清楚起见,以剖视图方式示出,其中(a)为由箭头A指示的右侧方框区域的放大示意图,而(b)为由箭头B指示的左侧方框区域的放大示意图;

图8示出了图7的替代实施例的结构示意图;

图9示出了现有技术的结构示意图;

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