[实用新型]一种对讲机抗电磁干扰保护电路有效
申请号: | 201520405748.X | 申请日: | 2015-06-14 |
公开(公告)号: | CN204697054U | 公开(公告)日: | 2015-10-07 |
发明(设计)人: | 王书芳 | 申请(专利权)人: | 王书芳 |
主分类号: | H04B1/40 | 分类号: | H04B1/40 |
代理公司: | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人: | 汤东凤 |
地址: | 362300 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 对讲机 电磁 干扰 保护 电路 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种抗电磁干扰电路,具体是一种对讲机抗电磁干扰保护电路。
背景技术
对讲机作为一种通讯工具,其抗干扰性是衡量其优劣的重要指标之一,如何提高对讲机的抗电磁干扰能力以及安全性能并减小对讲机体积是所有厂商一直在研究的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种体积小的对讲机抗电磁干扰保护电路,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种对讲机抗电磁干扰保护电路,包括电感L1A、电容C1、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管D1、三极管Q1和MOS管Q2,所述电容C1一端分别连接输入电压Vi和电感L1A,电感L1A另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2,电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3,电容C4另一端连接电容C3另一端并接地,所述电容C1另一端连接电感L1B另一端,所述电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B,所述电感L2另一端连接熔断器FU,熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A,电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端,电阻R1另一端分别连接二极管D1负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Q1集电极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管D1正极、电阻R3另一端、三极管Q1发射极和电容C6另一端,电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地,电阻R5另一端连接二极管D2负极,二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Q1基极。
作为本实用新型再进一步的方案:所述二极管D1和二极管D2为稳压二极管。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:在输入电压Vi后极加入本实用新型电路,能够有效防止电源部分对对讲机形成的电磁干扰,且可以防止通电瞬间电压不稳定造成的安全隐患,电路没有使用任何芯片元件,稳定性高,抗干扰能力强,另外电路结构简单,体积小,非常适合推广使用。
附图说明
图1为对讲机抗电磁干扰保护电路的电路图。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
请参阅图1,本实用新型实施例中,一种对讲机抗电磁干扰保护电路,包括电感L1A、电容C1、电感L1B、熔断器FU、电阻R1、二极管D1、三极管Q1和MOS管Q2,电容C1一端分别连接输入电压Vi和电感L1A,电感L1A另一端分别连接电容C3、电容C2和电感L2,电容C2另一端分别连接电感L1B、电容C4和电感L3,电容C4另一端连接电容C3另一端并接地,电容C1另一端连接电感L1B另一端,电感L3另一端分别连接电阻R7、电容C5和电感L4B,电感L2另一端连接熔断器FU,熔断器FU另一端分别连接电阻R7另一端、电容C5另一端和电感L4A,电感L4A另一端分别连接电阻R1、电阻R2、电容C8和输出电压Vo端,电阻R1另一端分别连接二极管D1负极、电阻R3、电阻R2、电容C6、三极管Q1集电极和MOS管Q2的G极,MOS管Q2的S极分别连接电阻R4、电阻R6、电容C7、二极管D1正极、电阻R3另一端、三极管Q1发射极和电容C6另一端,电容C7另一端分别连接电阻R6另一端、MOS管Q2的D极、电阻R5和电容C8另一端并接地,电阻R5另一端连接二极管D2负极,二极管D2正极分别连接电阻R4另一端和三极管Q1基极。
二极管D1和二极管D2为稳压二极管。
本实用新型的工作原理是:请参阅图1,电容C1、电感L1和电容C2组成双π型滤波网络主要是对输入电压Vi的电磁噪声及杂波信号进行抑制,防止对负载部分形成干扰。
电阻R1、电阻R2、二极管D1、MOS管Q2等组成抗浪涌电路,在通电的瞬间,由于电容C6存在,MOS管Q2不导通,电流经电阻R6构成回路,当电容C6上的电压充至二极管D1的稳压值时,MOS管Q2导通,如果电容C8漏电或者输出电压Vo端后极负载电路出现短路,在通电的瞬间,电流在电阻R1上产生的压降增大,三极管Q1导通,使MOS管Q2没有栅极电压不导通,电阻R6将在很短时间内烧毁,比保护后极负载电路。
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