[实用新型]一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件有效
申请号: | 201520407062.4 | 申请日: | 2015-06-12 |
公开(公告)号: | CN204792833U | 公开(公告)日: | 2015-11-18 |
发明(设计)人: | 杨春秀;符政宽;邱骏 | 申请(专利权)人: | 江苏武进汉能光伏有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人: | 徐琳淞 |
地址: | 213000 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 透光 bipv 薄膜 电池 组件 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池的技术领域,尤其是涉及一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.。
背景技术
现有的BIPV(BuildingIntegratedPhotovoltaic)是将太阳能发电产品集成到建筑上的技术;BIPV适合大多数建筑,如屋顶、幕墙、大棚等形式都可以安装。在现代化建筑中,BIPV发电系统既具有发电功能,又具有建筑物构件和材料功能,甚至提升建筑物的美感,与建筑物形成完美的统一体。柔性BIPV薄膜电池组件常采用不锈钢、PE等柔性衬底,组件厚度薄,重量轻,柔软可弯曲,适用范围更广;组件安装不需要支架,不仅节省成本,且安装维护方便快捷。
为满足现代化建筑采光采暖的需求,可以采用激光打孔的技术对柔性BIPV薄膜电池组件进行透光处理,根据透光率的要求,合理设计每个电池上开孔的孔径大小及位置分布。
实用新型内容
本实用新型的目的是解决上述提出的问题,提供一种采用激光打孔的技术,在透光的同时不会改变电池结构,避免了电池内部局部微短路现象的一种柔性透光BIPV薄膜电池组件。
实现本实用新型目的的技术方案是:本实用新型的一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,具有本体和竖直分布在本体上的若干激光线;所述本体包括柔性电池芯片,所述柔性电池芯片的上层具有第一复合层,所述柔性电池芯片的底层具有第二复合层。
更进一步的优化方案是,上述的一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,所述第一复合层和第二复合层为EVA层或PVB层。
更进一步的优化方案是,上述的一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,所述第一复合层的上表面和第二复合层的下表面分别具有含氟聚合物ETEE层。
更进一步的优化方案是,上述的一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,所述本体的底部连接有接线盒。
更进一步的优化方案是,上述的一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,所述每两根激光线之间分布有开孔,所述开孔的孔径大小为0.5~15mm。
本实用新型具有积极的效果:本实用新型的电池组件采用激光打孔的技术,根据透光率要求,合理设计孔径大小及位置分布,根据透光率要求,合理设计每个子电池上的孔径大小及位置分布。相比于目前激光刻栅透光技术,该方法在透光的同时不会改变电池结构,避免造成电池局部微短路问题,提高了产品的使用寿命。
附图说明
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中
图1是PE集合物衬底薄膜电池组件透光示意图;
图2是不锈钢衬底薄膜电池组件透光示意图
图3是柔性透光BIPV薄膜电池组件示意图;
附图标记:1、本体,2、激光线,3、柔性电池芯片,4、第一复合层,5、第二复合层,6、接线盒,7、氟聚合物ETEE层。
具体实施方式
见图1、图2和图3所述,本实用新型具有一种玻璃基透光BIPV薄膜电池组件.,具有本体1和竖直分布在本体1上的若干激光线2;所述本体1包括柔性电池芯片3,所述柔性电池芯片3的上层具有第一复合层4,所述柔性电池芯片3的底层具有第二复合层5。所述第一复合层4和第二复合层5为EVA层或PVB层。所述第一复合层4的上表面和第二复合层5的下表面分别具有含氟聚合物ETEE层7。所述本体1的底部连接有接线盒6。所述每两根激光线2之间分布有开孔7,所述开孔7的孔径大小为0.5~15mm。激光开孔所用激光为532nm绿光脉冲激光,光斑直径0.2~2mm,平均功率1~50W,脉冲频率0~100kHz。
图1是PE聚合物衬底柔性薄膜电池组件透光示意图。根据透光率的要求,设计每个子电池上的开孔分布及孔径大小,孔径大小在0.5~15mm范围内可调,且开孔位置要避开激光线。该方法在透光的同时不会改变电池结构,避免了目前玻璃基薄膜电池激光刻栅透光技术造成的电池局部微短路问题。
图2是不锈钢衬底柔性薄膜电池组件透光示意图。根据透光率的要求,设计开孔分布及孔径大小,孔径大小在0.5~5mm范围内可调,且开孔位置要避开金属栅线。
以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的