[实用新型]四主栅正电极太阳能晶体硅电池有效

专利信息
申请号: 201520409301.X 申请日: 2015-06-12
公开(公告)号: CN204696129U 公开(公告)日: 2015-10-07
发明(设计)人: 陆明涛 申请(专利权)人: 江苏格林保尔光伏有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/068
代理公司: 常州市维益专利事务所 32211 代理人: 王凌霄
地址: 213161 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 四主栅正 电极 太阳能 晶体 电池
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种太阳能晶体硅电池,特别涉及一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池。

背景技术

随着工业发展以及人类活动的口趋活跃,人类对能源的消耗口趋增大,而地下非可再生的矿物能源口趋短缺,能源供需矛盾口益激化,能源问题己成为影响人类生存和发展的关键问题之一。与风力发电、海洋发电、生物质能发电等许多可再生能源相比,太阳能光伏发电具有清洁性、安全性、广泛性、无噪声、无污染、能量随处可得、无需消耗燃料、无机械转动部件、维护简便、可以无人值守、建设周期短、规模大小随意、可以方便地与建筑物相结合等诸多无可比拟的优点。太阳能电池是利用光生伏特效应将太阳光能直接转化为电能的半导体器件,然后组装成不同电压、电流和功率的装置,从而使人们获得新能源。太阳能电池被广泛地用于空间技术、兵站、航标、家电及其他缺电无电的边远地区,其中晶体硅电池片由于成本低廉成为主流的商业化产品。

现阶段业内太阳能晶体硅电池片正电极图形采用的设计由两条或三条主栅和多条与之垂直的副栅线,主栅之间互相平行,副栅线之间也两两平行。随着PN结制作工艺的变革,传统热扩散工艺和新型的离子注入工艺均可以制备优良的低表面浓度浅结,继续采用两栅和三栅电池片的接触电阻难以进一步降低,从而串联电阻和功率损失会增加,最终导致电池片转换效率的提升。

发明内容

本实用新型的目的是克服现有技术存在的缺陷,提供一种可以有效降低组件总电阻损耗的四主栅正电极太阳能晶体硅电池。

实现本实用新型目的的技术方案是:一种四主栅正电极太阳能晶体硅电池,具有半导体基板;所述半导体基板的受光面上设有四条相互平行的主栅线以及若干条与主栅线垂直设置的副栅线;其特征在于:所述各主栅线的顶端均设有底部与主栅线相连接的“U”形电极;所述副栅线为间距渐变式分布。

上述技术方案所述“U”形电极底边的长度大于主栅线的宽度。

上述技术方案所述“U”形电极侧边的长度和边缘的第一根副栅线至第三根副栅线之间的距离值相等。

上述技术方案所述副栅线从中心副栅线起沿两边间距逐渐增大。

采用上述技术方案后,本实用新型具有以下积极的效果:

(1)本实用新型的四主栅电池效率较常规电池提升0.1%左右,电池的填充因子较常规三栅线电池明显提升,并可以有效降低组件总电阻损耗,结构简单,制造方便,只需使用常规电池工艺流程制造,与现有设备完全兼容,无需不增加新设备。

附图说明

为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解,下面根据具体实施例并结合附图,对本实用新型作进一步详细的说明,其中

图1为本实用新型的结构示意图;

附图中标号为:半导体基板1、主栅线2、副栅线3、“U”形电极4。

具体实施方式

(实施例1)

见图1,本实用新型具有半导体基板1;半导体基板1的受光面上设有四条相互平行的主栅线2以及若干条与主栅线2垂直设置的副栅线3;各主栅线2的顶端均设有底部与主栅线2相连接的“U”形电极4;副栅线3为间距渐变式分布。

“U”形电极4底边的长度大于主栅线2的宽度。“U”形电极4侧边的长度和边缘的第一根副栅线3至第三根副栅线3之间的距离值相等。

副栅线3从中心副栅线3起沿两边间距逐渐增大。

以上所述的具体实施例,对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已,并不用于限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。

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