[实用新型]整流器件

说明书

技术领域

本实用新型涉及电子器件领域，特别是涉及一种整流器件。

背景技术

肖特基势垒二极管，其特点如下：反向恢复时间小到可以忽略不计，正向压降小(VF值均分布在1V以内)，电流大(正向不重复峰值电流IFSM可达500A)，因具备上述特点现被广泛应用于PC电源及伺配器。

目前市场上用于开关电源上的整流器件，大部分为肖特基势垒二极管，其封装形式为TO-220，在封装时内部芯片为两粒单切芯片复合为共阴极对管。以16S45芯片为例，其单粒芯片面积为1.83*1.83＝3.3489(单位为毫米)，芯片总面积为6.6978平方毫米，成品测试VF8A值分布较离散，其值分布在0.52～0.57V之间，VFM值分布在0～45mV之间。因此于客户端使用时，则会发生因器件两边VF值较离散，VF值较大的一边会造成功耗大、温升偏高，器件损坏比率偏高。而且，在粘片作业时，邦头需要两次动作才能完成作业，生产效率较为低下。两粒单切芯片，面积较大也导致成本过高。

实用新型内容

基于此，有必要提供一种整流器件，该整流器件能够解决器件损坏比率偏高、生产效率较为低下和成本过高中至少一种的缺点。

一种整流器件，包括载片、第一芯片、第二芯片、第一连接线、第二连接线、第一引脚、第二引脚和第三引脚；

所述第一芯片和第二芯片为晶圆片上相邻的两个芯片，所述第一芯片和第二芯片贴合在所述载片上并均与所述载片形成电性连接；所述第一芯片通过所述第一连接线与所述第一引脚电连接，所述第二芯片通过所述第二连接线与所述第二引脚电连接，所述载片与所述第三引脚电连接。

在其中一个实施例中，所述第一芯片和第二芯片均为肖特基势垒二极管，所述第一芯片的阴极和第二芯片的阴极均与所述载片电连接，所述第一芯片的阳极与所述第一引脚电连接，所述第二芯片的阳极与所述第二引脚电连接。

在其中一个实施例中，所述第一连接线和第二连接线的材料包括金属或金属合金。

在其中一个实施例中，所述金属或金属合金包括硅、铝、铜、金和银中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一连接线和第二连接线的材料为铝或硅铝合金。

在其中一个实施例中，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均经过电镀处理。

在其中一个实施例中，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚均镀锡处理。

在其中一个实施例中，所述第一引脚、第二引脚和第三引脚的表面均镀上厚6微米以上的锡。

在其中一个实施例中，所述整流器件还包括封装外壳，所述封装外壳封装所述载片、第一芯片、第二芯片、第一连接线和第二连接线。

在其中一个实施例中，所述封装外壳的材料包括环氧树脂。

上述整流器件，包括第一芯片和第二芯片，第一芯片和第二芯片为晶圆片上相邻的两粒芯片(连体芯片)，相邻位置的两粒芯片电学参数差异往往很小。相对于传统的整流器件而言，上述整流器件的两粒芯片的VF值相差不大更为集中，不会出现VF值较大的一边功耗大、温升偏高的现象，有效提高产品可靠性，使得器件损坏比率降低。

由于第一芯片和第二芯片形成一体贴合在载片，因此在粘片作业时邦头只用一次动作便可完成作业，相对于传统的整流器件而言提高了生产效率。而且，由于第一芯片和第二芯片形成一体，体积相对于两粒单切芯片的总面积来说要小，而芯片单价均依芯片面积大小订定，芯片面积小则单价相对较低，因而可以降低产品成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。

图1为一个实施例的整流器件示意图；

图2为贴合于载片上的第一芯片和第二芯片的示意图。

具体实施方式

为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施例。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。