[实用新型]一种补偿电路及含有其的E类功率放大器

说明书

技术领域

本实用新型属于功率放大器领域，特别涉及一种补偿电路及含有其的E类功率放大器。

背景技术

目前，移动通信服务的快速发展对低能耗、高效率的器件设计提出了更高的要求。而射频功率放大器恰恰是无线发射终端中耗能最大的模块。因此功率放大器的效率直接决定了整个发射终端的能耗量级。所以，提高功率放大器的工作效率成为功率放大器研究领域的热点。

E类功率放大器因其理想工作效率能够达到100％而结构简单、容易实现等优点，近年来，在射频微波领域受到了广泛的研究和应用。然而，在实际情况中，E类功率放大器的高效率特性很大程度上依赖于晶体管的特性。其中，晶体管内部的输出电容是限制E类功率放大器工作频率最重要的一个因素。如何解决晶体管内部输出电容多余而带来的工作频率的限制，是近年来E类功率放大器领域内研究的一个热点。

由于给定的晶体管内部的参数都是固定的，所以解决此问题的最流行的方法是利用外部电路来补偿多余的电容，来拓展E类功率放大器的工作频率。现有技术采用下述补偿电路：链接晶体管漏极、短路分支线和开路分支线的第一微带传输线；链接短路分支线、开路分支线和漏极偏置电源的第二微带传输线；链接于第一微带传输线和第二微带传输线连接处的短路分支线；以及链接于第一微带传输线和第二微带传输线连接处的开路分支线。

现有技术具有以下缺陷：在频率相对较低时，微带尺寸相对过大。

实用新型内容

本实用新型提供了一种补偿电路及含有其的E类功率放大器，旨在解决现有的补偿电路在频率相对较低时微带尺寸相对过大的技术问题。

本实用新型是这样实现的，一种补偿电路，包括：

连接晶体管漏接和漏极偏置电源的第一电感；

与所述第一电感并联连接，并连接于所述晶体管漏极和第二电容之间的第二电感；

连接于所述第二电感和所述漏极偏置电源之间的所述第二电容。

另一方面，本实用新型还提供了一种的E类功率放大器，所述E类功率放大器包括上述的补偿电路。

本实用新型提供的技术方案带来的有益效果是：

从上述本实用新型可知，由于包括连接晶体管漏接和漏极偏置电源的第一电感；与第一电感并联连接，并连接于晶体管漏极和第二电容之间的第二电感；连接于第二电感和漏极偏置电源之间的第二电容，使用分立元件实现补偿电路，因此，在频率较低时减小了补偿电路中的微带尺寸。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型实施例提供的补偿电路的示例电路图；

图2为本实用新型实施例提供的补偿电路的等效电路图；

图3为本实用新型实施例提供的补偿电路的完整的电路原理图；

图4为本实用新型实施例提供的补偿电路的仿真波形。

具体实施方式

为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本实用新型实施方式作进一步地详细描述。

本实用新型实施例提供补偿电路Lnex的一种结构，如图1所示，包括连接晶体管漏接和漏极偏置电源Vdd的第一电感L1；与第一电感L1并联连接，并连接于晶体管漏极和第二电容C2之间的第二电感L2；连接于第二电感L2和漏极偏置电源Vdd之间的第二电容C2。

具体实施中，所述第一电感、所述第二电感和所述第二电容组成的补偿电路可以等效于基波和二次谐波并联电感。

一种的E类功率放大器，E类功率放大器包括上述的补偿电路。

如图1所示，E类功率放大器还包括晶体管Q、输出电容Cout、漏极偏置电源Vdd、栅极偏置电源Vgg、输入电压Vin、负载电阻R0、串联滤波电容C0以及串联滤波电感L0，晶体管Q包括输出电容Cout，输出电容Cout连接于晶体管Q的漏极和晶体管Q的源极之间。

晶体管Q的漏极与串联滤波电感L0的第一端连接，晶体管Q的栅极与输入电压Vin的正极连接，晶体管Q的源极与负载电阻R0的第一端和漏极偏置电源Vdd的负极连接，输入电压Vin的负极与栅极偏置电源Vgg的正极连接，串联滤波电感L0的第二端与串联滤波电容C0的第一端连接，负载电阻R0的第二端与串联滤波电容C0的第二端连接。