[实用新型]一种数据存储保护电路

说明书

技术领域

本实用新型涉及数据存储领域，尤其涉及一种数据存储保护电路。

背景技术

充电桩在充电过程中，有可能会发生输入电源跳闸或断电现象。当输入电源切断后，充电桩主控部分MCU将会停止工作，但相关的充电数据无法及时保存，其中包括一些重要的消费信息包括：充电卡号和充电金额。这样会导致结算无法正常进行，造成运营损失和客户争议。

在目前市面上的充电桩产品中，大部分产品为了弥补该部分的漏洞，采取了间隔一定时间对FLASH进行擦写来保存记录（比如5分钟），这种方式存在以下三个弊端：第一，定时擦写FLASH会对FLASH造成损坏或提前报废，因为FLASH的擦写次数是有限制的；第二，.擦写FLASH的时间相对实时系统来说，占时较长，消耗系统资源；第三，因为间隔一段时间才会擦写记录，所以在充电功率较大的情况下，会存在计量误差，造成损失。在无电池供电的情况下，MCU通过一个I/O口检测电平，判断交流充电桩掉电瞬间，将动态数据保存到FLASH或外部存储器中。

实用新型内容

本实用新型的目的是针对以上不足之处，提供了一种数据存储保护电路，实现对充电桩中存储数据的保护。

本实用新型解决技术问题所采用的方案是：一种数据存储保护电路，包括一用于将市电交流电压转换成直流低电压的AC/DC模块，所述AC/DC模块经一电芯与一MCU芯片连接，所述MCU芯片与一存储单元连接；还包括一用于判断直流低电压是否异常的判断单元，所述判断单元的一输入端与所述AC/DC模块的输出端电连接，该判断单元的另一输入端与所述电芯的输出端电连接，所述判断单元的输出端与所述MCU芯片电连接。

进一步的，所述判断单元包括一第一电压采样电路和第二电压采样电路，所述第一电压采样的输入端与所述AC/DC模块的输出端电连接，该第一电压采样的输出端连接至一电压比较电路的负输入端；所述第二电压采样电路的输入端与所述电芯的输出端相连，该第二电压采样的输出端连接至所述电压比较电路的正输入端；所述电压比较电路的输出端与所述MCU芯片电连接。

进一步的，所述第一电压采样电路由第一电阻R1、第二电阻R2串联而成，所述第一电阻R1的一端接至所述AC/DC模块的输出端，所述第一电阻R1的另一端接至电压比较电路的负输入端，所述第二电阻R2的一端接地；所述第二电压采样电路由第三电阻R3、第四电阻R4串联而成，所述第三电阻R3的一端接至所述电芯的输出端，该第三电阻R3的另一端接至电压比较电路的正输入端，所述第四电阻R4的一端接地。

进一步的，所述电压比较电路由第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、比较器IC1构成；所述第五电阻R5的一端与所述第三电阻R3相连，另一端接至比较器IC1的正输入端；所述第七电阻R7的一端与所述比较器IC1的正输入端相连，另一端与经所述第八电阻R8与所述比较器IC1的输出端相连；所述第六电阻R6的一端与所述第一电阻R1相连，另一端接至所述比较器IC1的负输入端。

进一步的，所述存储单元为FLASH闪存。

进一步的，所述电芯为BUCK降压电芯。

进一步的，所述AC/DC模块输出电压值为12V，所述电芯的输出电压值为3.3V。

进一步的，所述AC/DC模块的输出端还并接一电解电容。

与现有技术相比，本实用新型有以下有益效果：本实用新型电路通过所述判断单元，时时检测供电给MCU的主电压值（主电压值经过所述电芯后得到MCU的输入电压，通过与MCU的输入电压进行时时比较，当出现主电压值下降时，判断单元电平实现反转时，则输出一个相反的电平到MCU的I/O口，通知MCU进行数据的存储，为充电桩掉电后，对实时数据的保存提供控制逻辑依据。

   （1）本实用新型的数据存储保护电路，减少了对数据存储单元FLASH的擦写次数，延长了数据存储单元FLASH的使用寿命。

   （2）对数据存储单元FLASH的擦写次数减少，有效地提高系统资源的利用效率，保证系统的实时性。

   （3）采用本实用新型的数据存储保护电路的充电桩掉电后，相关实时记录会得到较完整的保存，不存在计量误差；

    (4)本实用新型的数据存储保护电路采用交流电给所述MCU芯片供电，避免纽扣电池供电给MCU，电池寿命不可控且功耗较大、成本较高；

(5)本实用新型的数据存储保护电路利用比较器实现电平翻转，温度特性、可靠性及传输性优于光耦的方式。

附图说明

下面结合附图对本实用新型专利进一步说明。