[实用新型]一种RENA湿法刻蚀设备有效
| 申请号： | 201520419173.7 | 申请日： | 2015-06-17 |
| 公开（公告）号： | CN204760408U | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 黄华;蒋方丹;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 rena 湿法 刻蚀 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，包括设置于RENA湿法刻蚀盖板上部的加热装置，所述加热装置为浴霸灯。
2.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置为功率范围为1千瓦至20千瓦的加热装置，用于将所述RENA湿法刻蚀盖板加热到20℃至80℃的温度范围。
3.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置与所述RENA湿法刻蚀盖板之间的距离的范围为10mm至50mm。
4.根据权利要求1所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置的数量为四个，且四个所述加热装置在所述湿法刻蚀盖板上方等距离设置。
5.根据权利要求1-4任一项所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，还包括设置于所述湿法刻蚀盖板侧部的多个附属加热装置。
6.根据权利要求5所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述附属加热装置的数量为四个，且分别设置于所述RENA湿法刻蚀设备盖板的四个侧边处。
7.根据权利要求1-4任一项所述的RENA湿法刻蚀设备，其特征在于，所述加热装置设置于透明防腐蚀罩内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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