[实用新型]带有限流的电池充电装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及电池充电装置，尤其涉及到带有限流的电池充电装置。

背景技术

在电池充电过程中，电流过大会使得电池烧坏或者老化加快，为此设计了带有限流的电池充电装置。

发明内容

本实用新型旨在提供一种带有限流的电池充电装置。

带有限流的电池充电装置，包括第一比较器、第一NMOS管、第一运算放大器、第一PMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第二电阻和第二PMOS管：

所述第一比较器的正输入端接基准电压VREF2，负输入端接所述第二电阻的一端和所述第二PMOS管的源极，输出端接所述第一NMOS管的栅极；

所述第一NMOS管的栅极接所述第一比较器的输出端，漏极接基准电压VREF1，源极接地；

所述第一运算放大器的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一电阻的一端和所述第二NMOS管的源极；

所述第一PMOS管的栅极和漏极接一起并接所述第二PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极，源极接电源VCC；

所述第二NMOS管的栅极接所述第一运算放大器的输出端，漏极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二PMOS管的栅极，源极接所述第一电阻的一端和所述第一运算放大器的负输入端；

所述第一电阻的一端接所述第一运算放大器的负输入端和所述第二NMOS管的源极，另一端接地；

所述第二电阻的一端接电源VCC，另一端接所述第一比较器的负输入端和所述第二PMOS管的源极；

所述第二PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的漏极，源极接所述第二电阻的一端和所述第一比较器的负输入端，漏极接电池。

所述第一运算放大器和所述第二NMOS管构成跟随器，所述第一电阻上的电压为基准电压VREF1，所述第一电阻上的电流等于基准电压VREF1除以所述第一电阻的电阻值，该电流就是I1，然后再通过所述第一PMOS管镜像电流给所述第二PMOS管电流产生出I2，可以通过调节所述第一PMOS管的宽长比与所述第二PMOS管的宽长比的比值进行调节电流I2；电流I2对电池进行充电；所述第二电阻上的电流是和充电电流I2一致的，反映充电电流I2的情况；当充电电流I2过大时，在所述第二电阻上的压降就增加，所述第二PMOS管的源极电压就降低，当该电压降低到小于基准电压VREF2时，通过第一比较器比较产生高电平的输出对所述第一NMOS管进行控制导通，使得连接到第一运算放大器的正输入端接的基准电压VREF1拉低，这样就使得在所述第一电阻上的电压降低，电流I1降低，充电电流I2也就降低了。

附图说明

图1为本实用新型的带有限流的电池充电装置的电路图。

具体实施方式

以下结合附图对本实用新型内容进一步说明。

带有限流的电池充电装置，如图1所示，包括第一比较器101、第一NMOS管102、第一运算放大器103、第一PMOS管104、第二NMOS管105、第一电阻106、第二电阻107和第二PMOS管108：

所述第一比较器101的正输入端接基准电压VREF2，负输入端接所述第二电阻107的一端和所述第二PMOS管108的源极，输出端接所述第一NMOS管102的栅极；

所述第一NMOS管102的栅极接所述第一比较器101的输出端，漏极接基准电压VREF1，源极接地；

所述第一运算放大器103的正输入端接基准电压VREF1，负输入端接所述第一电阻106的一端和所述第二NMOS管105的源极；

所述第一PMOS管104的栅极和漏极接一起并接所述第二PMOS管108的栅极和所述第二NMOS管105的漏极，源极接电源VCC；

所述第二NMOS管105的栅极接所述第一运算放大器103的输出端，漏极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二PMOS管108的栅极，源极接所述第一电阻106的一端和所述第一运算放大器103的负输入端；

所述第一电阻106的一端接所述第一运算放大器103的负输入端和所述第二NMOS管105的源极，另一端接地；

所述第二电阻107的一端接电源VCC，另一端接所述第一比较器101的负输入端和所述第二PMOS管108的源极；

所述第二PMOS管108的栅极接所述第一PMOS管104的栅极和漏极和所述第二NMOS管105的漏极，源极接所述第二电阻107的一端和所述第一比较器101的负输入端，漏极接电池。

所述第一运算放大器103和所述第二NMOS管105构成跟随器，所述第一电阻上的电压为基准电压VREF1，所述第一电阻106上的电流等于基准电压VREF1除以所述第一电阻106的电阻值，该电流就是I1，然后再通过所述第一PMOS管104镜像电流给所述第二PMOS管108电流产生出I2，可以通过调节所述第一PMOS管104的宽长比与所述第二PMOS管108的宽长比的比值进行调节电流I2；电流I2对电池进行充电；所述第二电阻107上的电流是和充电电流I2一致的，反映充电电流I2的情况；当充电电流I2过大时，在所述第二电阻107上的压降就增加，所述第二PMOS管108的源极电压就降低，当该电压降低到小于基准电压VREF2时，通过第一比较器101比较产生高电平的输出对所述第一NMOS管102进行控制导通，使得连接到第一运算放大器103的正输入端接的基准电压VREF1拉低，这样就使得在所述第一电阻106上的电压降低，电流I1降低，充电电流I2也就降低了。