[实用新型]一种太阳能电池结构有效
申请号: | 201520420690.6 | 申请日: | 2015-06-17 |
公开(公告)号: | CN204651330U | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 袁占强 | 申请(专利权)人: | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/05 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 罗满 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 结构 | ||
技术领域
本实用新型属于太阳电池技术领域,具体涉及一种太阳能电池结构。
背景技术
太阳电池是一种基于光伏效应直接将光能转化为电能的器件。常规结构晶硅太阳能电池的制作流程包括制绒、扩散、背面刻蚀、氮化硅沉积、丝网印刷、烧结。常规晶硅太阳能电池一般采用1条以上主栅在电池片表面居中设置,副栅线与主栅垂直居中均匀分布,背电极的位置与正电极主栅一致,使焊带的应力破坏减小到最小。在目前的组件生产中,必须使用焊带将电池片的正面与相邻电池片的背面连接,组成串联电路。这样的设计有以下几个特点:
1、电池片制成组件必须使用焊带焊接,焊接的应力会造成电池片碎片;
2、焊接的温度会破坏电池片的PN结;
3、焊带的遮光面积较大,而由此造成的功率损失在3%~4%;
4、此种结构的太阳能电池形成组件时电池与电池直接必须保持一定的缝隙,用以焊带的弯曲,此距离过小则会造成破片率上升。
实用新型内容
本实用新型提供了一种太阳能电池结构,免去了使用焊带连接正面与背面,减少了焊带的使用量,减少了遮光面积,提高了组件的光吸收效率,提升了组件功率。
为解决上述技术问题,本实用新型实施例提供了一种太阳能电池结构,包括太阳能电池片,所述太阳能电池片的正面设置有正面电极,所述太阳能电池片的背面设置有背电极和背电场结构,其中,所述正面电极包括主栅线、与所述主栅线垂直的多条副栅线和与所述主栅线平行的多条细栅线,所述主栅线位于所述太阳能电池片的上边缘;所述背电极位于所述太阳能电池片的下边缘,且与所述主栅线平行;所述背电场结构的区域与所述背电极的区域部分重叠,相邻所述太阳能电池片的主栅线与背电极层叠。
优选的,所述主栅线为镂空的主栅线。
优选的,所述主栅线的数量为多条。
优选的,所述副栅线的宽度在上边缘的宽度是在下边缘的宽度的1-20倍。
优选的,所述副栅线的宽度从下边缘到上边缘逐渐变宽。
优选的,所述副栅线的宽度从下边缘到上边缘由60μm渐变为120μm。
优选的,多条所述细栅线等距设置。
优选的,所述细栅线的数量为六条,多条所述细栅线的宽度从与所述主栅线的间距由近及远成等差数列依次递减,距离所述主栅线最近的所述细栅线的宽度为110μm,距离所述主栅线最远的所述细栅线的宽度为60μm。
优选的,所述正面电极的顶角处设置有倒角。
优选的,所述背电极的上边缘具有锯齿状结构。
本实用新型实施例所提供的所述太阳能电池结构与现有技术相比,具有以下有益效果:
本实用新型实施例所提供的所述太阳能电池结构,包括太阳能电池片,所述太阳能电池片的正面设置有正面电极,所述太阳能电池片的背面设置有背电极和背电场结构,其中,所述正面电极包括主栅线、与所述主栅线垂直的多条副栅线和与所述主栅线平行的多条细栅线,所述主栅线位于所述太阳能电池片的上边缘;所述背电极位于所述太阳能电池片的下边缘,且与所述主栅线平行;所述背电场结构的区域与所述背电极的区域部分重叠,相邻所述太阳能电池片的主栅线与背电极层叠。
所述太阳能电池结构在制作组件的过程中使正电极的主栅与背电极直接接触层叠,从而免去了使用焊带连接正面与背面,减少了焊带的使用量,减少了遮光面积,提升了组件功率;相邻所述太阳能电池片之间存在一部分重叠区域,提高了组件的吸收阳光的面积比例,也即提高了阳光的吸收效率,提高了组件功率。
综上所述,所述太阳能电池结构由于正电极的主栅与背电极直接接触层叠,减少了焊带的使用量,提升组件了功率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本实用新型实施例所提供的太阳能电池结构的一种具体实施方式的正面示意图;
图2为本实用新型实施例所提供的太阳能电池结构的一种具体实施方式的正面局部放大示意图;
图3为本实用新型实施例所提供的太阳能电池结构的一种具体实施方式的背面示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的