[实用新型]一种高压MOSFET器件的终端结构

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体器件技术领域，特别涉及一种高压MOSFET器件的终端结构。

背景技术

高压MOSFET器件对耐压终端结构和电场分布有较高要求。目前的技术，高压MOSFET器件的终端结构一般是采用平面结，击穿电压只有平行平面结的50％左右，使得现有的MOSFET器件终端结构耐压低,稳定性较差,电场分布不均匀。图1所示是现有技术中平面结终端的剖面示意图。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种高压MOSFET器件的终端结构，以提高MOSFET器件的终端结构的击穿电压。

本实用新型的技术方案是，一种高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。

所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。

所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。

靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。

本实用新型提出一种变化横向掺杂结构，可以有效改善终端电场分布和耐压。可以提高击穿电压为平行平面结的95％左右。改善电场分布,提供终端稳定性和可靠性。

附图说明

图1是现有技术中平面结终端的剖面示意图。

图2是本实用新型实施例中的终端剖面示意图。

图3是本实用新型实施例中的终端俯视示意图。

其中，1为离子注入掩蔽层，

2为离子注入区域，

3为P+区域，

4为EPI N型区域，

5为P-低浓度区域，

6为终端外围，

7为终端内侧。

具体实施方式

现有技术中，终端结构的表面电场较强。如图2所示的本实用新型的高压MOSFET器件的终端结构，采用平面结终端，该平面结终端包括离子注入掩蔽层、离子注入区域、P+区域和EPI N型区域，所述离子注入掩蔽层具有多个掩蔽窗口，杂质经过离子注入到所述掩蔽窗口后再进行扩散。所述的多个掩蔽窗口中，相邻的掩蔽窗口中心位置间的距离是渐变的。所述的掩蔽窗口是条状或者圆孔形。靠近终端内侧的掩蔽窗口是条状，靠近终端外侧的掩蔽窗口是圆孔形。

本实用新型通过距离变化的掺杂，杂质经过离子注入到掩蔽窗口后再进行扩散，杂质分布是渐变的，来降低表面峰值电场,理论上可以得到最佳的表面电场。该终端的掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔,在离终端内侧是通过条状的掩蔽注入扩散得到高浓度P+区域,在终端外侧通过一些小孔注入扩散得到低浓度P-区域，从终端内侧到外侧P型浓度是逐渐降低的。

如图3所示，随距离变化的掩蔽窗口高压MOSFET终端排布结构。掩蔽窗口可以是条状或者一些小孔。掩蔽窗口条状或者小孔的数量不限,依据最终器件参数要求而变化。掩蔽窗口条状或者小孔的大小和间距是变化的，依据最终器件参数要求而变化。掺杂浓度经过扩散后从终端内侧到外侧是逐渐降低的。

本实用新型可以大大降低表面电场，提高终端结构的稳定性和调高终端耐压。