[实用新型]一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN混合集成微波放大器有效
| 申请号： | 201520430315.X | 申请日： | 2015-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN204669313U | 公开（公告）日： | 2015-09-23 |
| 发明（设计）人： | 高怀;丁杰;王锋;祖慧慧 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 pcb 工艺 gaas ldmos gan 混合 集成 微波 放大器 | ||
1.一种基于PCB工艺的GaAs和LDMOS/GaN的混合集成微波功率放大器，其特征在于，包括：
金属底板；
所述金属底板的上表面设置有PCB板和热沉；
所述PCB板上设置有第一功率放大器；
所述热沉上设置有第二功率放大器；
所述第二功率放大器的输入端与所述第一功率放大器的输出端连接；
其中，所述第一功率放大器为GaAs功率放大器，所述第二功率放大器为LDMOS功率放大器或GaN功率放大器。
2.如权利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述第二功率放大器通过银浆焊或共晶焊的方式固定在所述热沉上。
3.如权利要求2所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述金属底板上还具有槽，所述槽的形状与所述热沉的横截面形状相同，所述热沉的底部嵌套进所述金属底板的槽。
4.如权利要求3所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述PCB板上还具有通孔，所述通孔的横截面形状与所述热沉的横截面形状相同，所述热沉穿过所述通孔嵌套进所述金属底板的槽。
5.如权利要求4所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述槽的深度等于所述热沉的厚度与所述PCB板的厚度的差值。
6.如权利要求1-5任一项所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述热沉为钼铜热沉。
7.如权利要求6所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述钼铜热沉为铜-钼-铜热沉。
8.如权利要求1所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，还包括级间匹配电路，所述级间匹配电路设置于所述PCB板上，输入端与所述第一功率放大器的输出端连接，输出端与所述第二功率放大器的输入端连接。
9.如权利要求8所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，还包括输出匹配电路，所述输出匹配电路的输入端与所述第二功率放大器的输出端连接。
10.如权利要求9所述的混合集成微波功率放大器，其特征在于，所述级间匹配电路或所述输出匹配电路由分立元件和金丝绑线组成。
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