[实用新型]一种半导体致冷器的温度控制电路

权利要求书

1.一种半导体致冷器的温度控制电路，所述半导体致冷器的温度控制电路包括半导体致冷器模块，其特征在于，所述半导体致冷器的温度控制电路还包括直流电源转换模块、信号放大模块、温度检测模块；

所述温度检测模块通过所述信号放大模块连接所述直流电源转换模块，所述直流电源转换模块还连接所述半导体致冷器模块；

所述温度检测模块用于监测温度，向所述信号放大模块输入所述温度对应的电压值，以使所述信号放大模块对所述温度对应的电压值进行放大，并向所述直流电源转换模块输出放大后的所述温度对应的电压值；

所述直流电源转换模块用于根据所述信号放大模块输入的放大后的所述温度对应的电压值，向所述半导体致冷器模块输出控制电压，以使所述半导体致冷器模块调节温度。

2.根据权利要求1所述的温度控制电路，其特征在于，所述直流电源转换模块至少包括直流电源转换芯片、第一分压电阻、第二分压电阻；所述直流电源转换芯片包括电源输入端、反馈端以及输出端，所述半导体致冷器模块至少包括半导体致冷器；所述电源输入端连接电源，所述反馈端连接所述第一分压电阻的一端、所述第二分压电阻的一端以及所述信号放大模块，所述第一分压电阻的另一端连接所述输出端以及所述半导体致冷器的一端，所述第二分压电阻的另一端接地；所述半导体致冷器的另一端接地。

3.根据权利要求2所述的温度控制电路，其特征在于，所述直流电源转换模块还包括滤波单元，所述滤波单元包括第一电感以及第一极性电容，所述滤波单元的一端连接所述直流电源转换芯片的输出端，所述滤波单元的另一端连接所述半导体致冷器的一端；其中，所述第一电感的一端连接所述直流电源转换芯片的输出端，所述第一电感的另一端连接所述第一极性电容的正极以及所述半导体致冷器的一端，所述第一极性电容的负极接地。

4.根据权利要求3所述的温度控制电路，其特征在于，所述直流电源转换模块还包括二极管，所述二极管的正极接地，所述二极管的负极连接所述直流电源转换芯片的输出端。

5.根据权利要求2所述的温度控制电路，其特征在于，所述信号放大模块包括运算放大器，所述运算放大器的输入端连接温度检测模块，所述运算放大器的输出端连接所述直流电源转换模块的反馈端。

6.根据权利要求5所述的温度控制电路，其特征在于，所述信号放大模块还包括去耦单元，所述去耦单元包括去耦电阻以及去耦电容，所述去耦电阻以及所述去耦电容并联，并跨接在所述运算放大器的负极性输入端以及输出端。

7.根据权利要求5所述的温度控制电路，其特征在于，所述信号放大模块还包括限流电阻，所述限流电阻的一端连接所述信号放大模块的输出端，所述限流电阻的另一端连接所述直流电源转换模块的反馈端。

8.根据权利要求5所述的温度控制电路，其特征在于，温度检测模块包括热敏电阻、第三分压电阻、第四分压电阻以及电位器，所述热敏电阻的一端连接所述第三分压电阻的一端以及所述信号放大模块的正极性输入端，所述第三分压电阻的另一端连接电源，所述热敏电阻的另一端连接所述电位器的第一端并接地，所述电位器的第二端连接所述信号放大模块的负极性输入端，所述电位器的第三端连接所述第四分压电阻的一端，所述第四分压电阻的另一端连接电源。

9.根据权利要求2所述的温度控制电路，其特征在于，所述直流电源转换芯片的输出端输出的电压值为所述第一分压电阻值与所述第二分压电阻值之和，除以所述第二分压电阻值，并乘以所述直流电源转换芯片的反馈系数。

10.根据权利要求6所述的温度控制电路，其特征在于，所述去耦单元的去耦电阻的阻值为100K欧姆，所述去耦电容的容置为100纳法。