[实用新型]一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路有效

专利信息
申请号: 201520430693.8 申请日: 2015-06-19
公开(公告)号: CN204759264U 公开(公告)日: 2015-11-11
发明(设计)人: 邵力;刘海飞 申请(专利权)人: 西安华芯半导体有限公司
主分类号: G05F1/565 分类号: G05F1/565
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710075 陕西省西安*** 国省代码: 陕西;61
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 用于 低压 基准 放大器 失调 电压 补偿 电路
【权利要求书】:

1.一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路,其特征在于,包括低压带隙基准(1)和放大器失调电压补偿电路(2);

所述低压带隙基准(1)包括放大器(14);

所述放大器失调电压补偿电路(2),包括失调电压采集和转换电路(21)、第一电流减法电路(22)和第二电流减法电路(23);

失调电压采集和转换电路,用于采集放大器的失调电压并将它转换为电流信号;

第一电流减法电路,用于在失调电压大于零时产生补偿电流;

第二电流减法电路,用于在失调电压小于零时产生补偿电流。

2.根据权利要求1所述的一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路,其特征在于,失调电压采集和转换电路包括PMOS管MP211、PMOS管MP212、PMOS管MP213、PMOS管MP214、PMOS管MP218、NMOS管MN215、NMOS管MN216、NMOS管MN217和电阻R5;

PMOS管MP211和PMOS管MP212是两个尺寸相同的长沟道PMOS,它们的栅极与放大器的输出相连,它们的漏极分别与PMOS管MP213和PMOS管MP214的源极相连;PMOS管MP211、PMOS管MP212和PMOS管MP218的源极接电源;PMOS管MP214和PMOS管MP213的漏极分别连接NMOS管MN216和NMOS管MN215的漏极,NMOS管MN216的漏极和栅极共接,NMOS管MN215的漏极和栅极共接;NMOS管MN215的漏极连接NMOS管MN217的栅极;NMOS管MN217的漏极连接PMOS管MP218的漏极;PMOS管MP218的漏极和栅极共接;NMOS管MN215、NMOS管MN216和NMOS管MN217的源极接地;

PMOS管MP214和PMOS管MP213的栅极分别与放大器的正负输入端相连,用来采集放大器的失调电压;电阻R5一端连接PMOS管MP211的漏极,另一端连接PMOS管MP212的漏极;流经PMOS管MP213和PMOS管MP214的电流分别为I1和I2。

3.根据权利要求2所述的一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路,其特征在于,第一电流减法电路用于产生补偿电流I1–I2;第一电流减法电路包括PMOS管MP222、NMOS管MN221、NMOS管MN223和NMOS管MN224;

NMOS管MN221的栅极与NMOS管MN216的栅极相连,构成一组电流镜;PMOS管MP222的栅极与PMOS管MP218的栅极相连;NMOS管MN223的栅极和漏极短接并与NMOS管MN221和PMOS管MP222的漏极相连;NMOS管MN224的栅极与NMOS管MN223的栅极相连,构成电流镜;PMOS管MP222的源极接电源,NMOS管MN221、NMOS管MN223和NMOS管MN224的源极接地。

4.根据权利要求2所述的一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路,其特征在于,第二电流减法电路(23)用于产生补偿电流=I2–I1;第二电流减法电路(23)包括NMOS管MN231、PMOS管MP232、PMOS管MP233和PMOS管MP234;

NMOS管MN231的栅极与NMOS管MN216的栅极相连,构成一组电流镜;PMOS管MP232的栅极与PMOS管MP218的栅极相连;PMOS管MP233的栅极和漏极短接并与NMOS管MN231和PMOS管MP232的漏极相连;PMOS管MP234的栅极与PMOS管MP233的栅极相连,构成电流镜;PMOS管MP232、PMOS管MP233和PMOS管MP234的源极接电源,NMOS管MN231的源极接地。

5.根据权利要求1所述的一种用于低压带隙基准的放大器失调电压补偿电路,其特征在于,所述低压带隙基准(1)包括放大器(14)、PMOS管MP11、PMOS管MP12、PMOS管MP13、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、二极管D1和二极管D2;

PMOS管MP11、PMOS管MP12和PMOS管MP13的源极接电源;PMOS管MP11、PMOS管MP12和PMOS管MP13栅极接放大器(14)的输出端;PMOS管MP11的漏极连接放大器的正输入端、电阻R1一端和电阻R2一端;电阻R1另一端连接二极管D1正极;PMOS管MP12的漏极连接二极管D2的正极和电阻R3的一端;PMOS管MP13的漏极连接电阻R4一端;电阻R2另一端、二极管D1的负极、二极管D2的负极、电阻R3另一端和电阻R4的另一端接地。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安华芯半导体有限公司,未经西安华芯半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201520430693.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code