[实用新型]一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaN HEMTs器件的封装结构

权利要求书

1.一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，

其特征是，

阻断电压大于或者等于设计要求额定阻断电压的AlGaN/GaNHEMTs器件，

反向额定耐压等于设计要求额定阻断电压垂直结构的Si基二极管，

所述AlGaN/GaNHEMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝缘基板上，

所述Si基二极管的阴极焊接到AlGaN/GaNHEMTs器件的漏极Drain上面，

所述Si基二极管的阳极通过金属引线与AlGaN/GaNHEMTs器件的栅极Gate相连，

所述金属引线引出封装模块的栅极Gate、源极Source以及漏极Drain。

2.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征 是，所述的AlGaN/GaNHEMTs器件是肖特基栅、MIS栅以及PN结栅AlGaN/GaNHEMTs器件。

3.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征 是，所述的Si基二极管是肖特基结、PiN结。

4.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征 是，当单个Si基二极管器件不能达到要求的反向额定电压时，所述的Si基二极管由两个或 者两个以上Si基二极管相互串联使用，以使其总的反向额定电压等于AlGaN/GaNHEMTs器 件的额定阻断电压。

5.如权利要求1所述一种带雪崩击穿特性的AlGaN/GaNHEMTs器件的封装结构，其特征 是，为了达到设计器件所需电流的要求，可由两个或者两个以上额定阻断电压相同的 AlGaN/GaNHEMTs器件相互并联，通过将AlGaN/GaNHEMTs器件的衬底焊接到封装材料的绝 缘基板上，将反向额定电压与AlGaN/GaNHEMTs器件阻断电压相同的Si基二极管或者垂直 串联焊接形成的Si基二极管模块焊接到其中一个AlGaN/GaNHEMTs器件的漏极Drain上，通 过金属引线将AlGaN/GaNHEMTs器件的栅极Gate、源极Source以及漏极Drain分别对应相连 形成并联模块，然后通过引线将AlGaN/GaNHEMTs器件模块的栅极Gate与Si基二极管或者 Si基二极管模块的阳极相连。