[实用新型]一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路

权利要求书

1. 一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，包括反相器、逻辑电路、高端NMOS管驱动器、低端NMOS管驱动器、高端NMOS管、低端NMOS管和钳位二极管；

调制信号TTL及该信号经所述反相器后的反相信号同时输入逻辑电路，经所述逻辑电路延时后，输出一比调制信号TTL延时的高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号；

高端NMOS驱动器输入信号和低端NMOS驱动器输入信号分别输入至高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器中，高端NMOS驱动器和低端NMOS管驱动器的输出端分别连接至高端NMOS管和低端NMOS管的栅极；

高端NMOS管NM1的漏极接第二电源；高端NMOS管的源极作为GaN 微波脉冲功率放大器的漏极电压端，同时与低端NMOS管的漏极相连；低端NMOS管NM2的源极接地。

2.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，高端NMOS管的源极同时还与第二钳位二极管的正极、第三钳位二极管的负极相连接；

第三钳位二极管的正极接地；第二钳位二极管的负极与高端NMOS管的漏极相连。

3.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，GaN微波脉冲功率放大器的输入射频信号为连续波或脉冲信号。

4.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，还包括一自举二极管和一自举电容；

自举二极管的正极同时接第一电源和低端NMOS管驱动器的控制端；自举二极管的负极同时连接自举电容的一端和高端NMOS驱动器的控制端；自举电容另一端与低端NMOS管的漏极连接。

5.根据权利要求1所述的一种GaN微波功率放大器用漏极调制电路，其特征是，当所述高端NMOS管关断时，所述低端NMOS管立即开启，漏极电压端迅速放电，降低调制信号TTL到漏极电压端的下降沿延时时间及拖尾现象。