[实用新型]一种多子结化合物光伏电池

权利要求书

1.一种多子结化合物光伏电池，即InAlAsP/InGaAs/Ge三子结化合物光伏电池，包括Ge衬底；Ge子电池，位于Ge衬底上；InGaAs子电池，位于Ge子电池上；InAlAsP子电池，位于InGaAs子电池上；在所述Ge衬底与Ge子电池之间包括n++Ge接触层以及n++Ge接触层之上的背场层；在InAlAsP子电池上为窗口层，窗口层上为p++接触层；Ge子电池与InGaAs子电池，InGaAs子电池与InAlAsP子电池之前具有晶格匹配的n++/p++遂穿二极管，其特征在于：所述多子结化合物光伏电池上部光照面形状为连续的二阶凸起结构，每一个二阶凸起结构具有第一阶凸起和第二阶起，其中第二阶凸起从第一阶凸起的上表面向上凸起；在二阶凸起结构之间形成高折射率透明材料，所述高折射率透明材料包括形成在第二阶凸起之间的区域的第二高折射率透明材料和形成在第一阶凸起之间的区域的第一高折射率透明材料；所述第二高折射率透明材料的顶面与第二阶凸起的顶面齐平且为平坦的；所述第一高折射率透明材料的顶面与第一阶凸起的顶面齐平并且接触第二高折射率透明材料。

2.如权利要求1所述的多子结化合物光伏电池电池，其特征在于：所述第一高折射率透明材料的折射率大于所述第二高折射率透明材料的折射率。

3.如权利要求1所述的多子结化合物光伏电池，其特征在于：所述Ge子电池在远离衬底的方向上依次包括nGe基区，p+Ge发射区，并具有0.66eV左右的带隙；所述InGaAs子电池在远离衬底方向上依次包括nInGaAs基区，p+InGaAs发射区，并具有1.40eV左右的带隙；所诉InAlAsP子电池在远离衬底方向上依次包括nInAlAsP基区，p+InAlAsP发射区，并具有1.90eV左右的带隙。

4.如权利要求3所述的多子结化合物光伏电池，从第二阶凸起的顶面到Ge衬底的底面厚度为300～400μm，第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度为50~80μm；并且第二阶凸起的顶部到第一阶凸起的顶部的厚度至少大于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度的两倍；每两个二阶凸起结构之间的间隔小于第一阶凸起的顶部到第一阶凸起底面的厚度。

5.如权利要求1所述的多子结化合物光伏电池，所述晶格匹配的n++/p++隧穿二极管为异质结隧穿二极管。

6.如权利要求5所述的多子结化合物光伏电池，所述晶格匹配的n++/p++隧穿二极管为n++InGaP/p++InGaAsP异质结隧穿二极管；其总厚度为30-45纳米。